Initial microstructural development of surface oxidized layer during silicon nitride oxidation

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1997
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16th MEETING OF THE BRAZILIAN SOCIETY FOR ELECTRON MICROSCOPY
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MORAIS, D.S.; BRESSIANI, A.H.A. Initial microstructural development of surface oxidized layer during silicon nitride oxidation. In: 16th MEETING OF THE BRAZILIAN SOCIETY FOR ELECTRON MICROSCOPY, September 1-5, 1997, Caxambu, MG. Abstract... p. 124-125. Disponível em: http://repositorio.ipen.br/handle/123456789/22659. Acesso em: 25 Apr 2024.
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