PORFIRIO, T.C.MUCCILLO, E.N.S.2016-11-082016-11-08PORFIRIO, T.C.; MUCCILLO, E.N.S. Densificação e propriedades dielétricas do CaCusub(3)Tisub(4)Osub(12). In: CONGRESSO BRASILEIRO DE CERAMICA, 60., 15-18 de maio, 2016, Aguas de Lindoia, SP. <b>Anais...</b> p. 1324-1334. Disponível em: http://repositorio.ipen.br/handle/123456789/26751.http://repositorio.ipen.br/handle/123456789/26751A tecnologia de capacitores cerâmicos compreende uma variedade de produtos baseados em materiais dielétricos destinados à armazenagem de energia elétrica, fazendo com que tais componentes sejam de grande importância na indústria eletrônica. Para tais aplicações, as principais propriedades que estes materiais devem possuir são elevada permissividade elétrica ε’ (acima de 103) e baixas perdas dielétricas, além de serem estáveis em um amplo intervalo de temperatura e frequência. Neste trabalho, pós de CCTO foram preparados pelo método de reação em estado sólido e, frações equivalentes a 0,5 e 1% em mol de LiF foram adicionados ao material sintetizado com o objetivo de diminuir a temperatura de sinterização dos compactos e assim, minimizar o desvio estequiométrico de cobre nas cerâmicas. Os resultados indicaram a possibilidade de obter materiais com densidade relativa acima de 91% da densidade teórica quando sinterizados em temperaturas abaixo daquelas usualmente empregadas. O tamanho e o formato dos grãos das amostras contendo aditivo são mais homogêneos do que aqueles observados nas amostras puras. Além disto, o LiF promoveu diminuição dos valores de perdas dielétricas sem que houvesse prejuízo nos valores de permissividade elétrica (valores acima de 30.000).1324-1334openAccesspermittivitycalciumcoppertitanateslithium fluoridesadditivesdielectric propertieschemical preparationTexto completo de eventohttps://orcid.org/0000-0001-9219-388X