OLIVEIRA, E.C. deCORREA, O.V.BENTO, R.T.COTINHO, S.P.SANTOS, T.F. dosPILLIS, M.F.2020-03-262020-03-26OLIVEIRA, E.C. de; CORREA, O.V.; BENTO, R.T.; COTINHO, S.P.; SANTOS, T.F. dos; PILLIS, M.F. Caracterização morfológica de filmes de TiO2 dopados com nitrogênio crescidos por MOCVD. In: CONGRESSO BRASILEIRO DE QUÍMICA, 59., 5-8 de novembro, 2019, João Pessoa, PB. <b>Anais...</b> Rio de Janeiro, RJ: Associação Brasileira de Química, 2019. Disponível em: http://repositorio.ipen.br/handle/123456789/30959.http://repositorio.ipen.br/handle/123456789/30959O método de deposição química de organometálicos em fase vapor (MOCVD) foi utilizado para o crescimento de filmes de dióxido de titânio (TiO2) e TiO2 dopado com nitrogênio. Os filmes foram crescidos a 400 °C sobre substratos de vidro borossilicato. Isopropóxido de titânio IV foi utilizado como precursor de titânio e de oxigênio, e amônia (NH3) como fonte de nitrogênio. Análises por microscopia de força atômica (AFM) mostraram que ambos os filmes apresentaram grãos bem definidos e arredondados. Todos os filmes são formados apenas pela fase cristalina anatase. Os resultados mostraram que a dopagem com nitrogênio resultou em uma diminuição no tamanho médio de grão e na rugosidade superficial.openAccesstitanium oxidesorganometallic compoundschemical vapor depositiondoped materialsnitrogenTexto completo de evento0000-0002-1423-871X0000-0002-1797-9652https://orcid.org/0000-0002-1423-871X