BENTO, RODRIGO T.FERRUS FILHO, ANDREPILLIS, MARINA F.2018-02-192018-02-192017BENTO, RODRIGO T.; FERRUS FILHO, ANDRE; PILLIS, MARINA F. Caracterização microestrutural de filmes finos de TiO2: uma revisão. <b>Revista Brasileira de Inovação Tecnológica em Saúde</b>, v. 7, n. 2, p. 4-17, 2017. DOI: <a href="https://dx.doi.org/10.18816/r-bits.v7i2.10272">10.18816/r-bits.v7i2.10272</a>. Disponível em: http://repositorio.ipen.br/handle/123456789/28486.2236-1103http://repositorio.ipen.br/handle/123456789/28486Filmes finos de dióxido de titânio vêm sendo utilizados em diversas aplicações tecnológicas, desde revestimentos autolimpantes e bactericidas, até células solares e fotocatalisadores. O TiO2 apresenta polimorfismo em três fases cristalinas: anatase, broquita e rutilo, cada uma com propriedades físicas e químicas específicas. O presente trabalho apresenta o resultado do somatório de experiências desenvolvidas pelo grupo de pesquisa do Laboratório de Filmes Finos e Nanoestruturas do IPEN (Brasil), analisando por meio dos respectivos estudos a influência da temperatura de deposição e substrato sobre a morfologia dos filmes obtidos. Os filmes de TiO2 foram crescidos através da técnica de deposição química de organometálicos em fase vapor (MOCVD), sobre substratos de borossilicato, a 400 e 500°C, e substratos Si(100) nas temperaturas de 400, 500, 600 e 700°C. Observando-se os espectros de difração de raios-X dos filmes, foi verificado que a 400 e 500°C há a presença apenas da fase anatase, enquanto que a 600°C pode-se identificar as fases anatase e rutilo. O filme crescido a 700°C apresentou, além de anatase e rutilo, a fase broquita. Foi observadoque a velocidade de crescimento dos filmes aumenta com a temperatura até 500°C e, a partir disso diminui, aspecto característico da curva do processo, que indica haver uma mudança de mecanismo de crescimento.4-17openAccesstitanium oxidesthin filmschemical vapor depositionorganometallic compoundsnanostructuressubstratesArtigo de periódico2710.18816/r-bits.v7i2.10272https://orcid.org/0000-0002-1423-871X