PASCOALINO, KELLY C. da S.TOBIAS, CARMEN C.B.2016-04-112016-04-11PASCOALINO, KELLY C. da S.; TOBIAS, CARMEN C.B. Influência da zona morta na resolução em energia para diodos de Si. In: PROGRAMA INSTITUCIONAL DE BOLSAS DE INICIAÇÃO CIENTÍFICA, 13.; PROGRAMA DE BOLSAS E INICIAÇÃO CIENTÍFICA CNEN, 4., 29-30 de agosto, 2007, São Paulo, SP. <b>Resumo expandido...</b> Disponível em: http://repositorio.ipen.br/handle/123456789/26119.http://repositorio.ipen.br/handle/123456789/26119openAccessalpha spectroscopyenergy resolutionsilicon diodespolarizationenergy spectraIniciação Científicahttps://orcid.org/0000-0001-7881-7254