SILVA, D.Y.B.REIS, S.L.MUCCILLO, R.MUCCILLO, E.N.S.2017-12-052017-12-05SILVA, D.Y.B.; REIS, S.L.; MUCCILLO, R.; MUCCILLO, E.N.S. Propriedades elétricas da perovsquita Bi2/3Cu3Ti4O12. In: CONGRESSO BRASILEIRO DE CERAMICA, 61., 04-07 de junho, 2017, Gramado, RS. <b>Anais...</b> p. 1429-1438. Disponível em: http://repositorio.ipen.br/handle/123456789/28104.http://repositorio.ipen.br/handle/123456789/28104Materiais da família ACu3Ti4O12 tem sido amplamente estudados devido suas propriedades especiais, tais como permissividade elétrica gigante e baixa tangente de perda. Poucos trabalhos ainda tentam buscar uma relação entre as propriedades dielétricas e as características microestruturais. Um dos destaques desta família é o Bi2/3Cu3Ti4O12 (BCTO). Neste trabalho foi estudada a dependência das propriedades dielétricas e alguns aspectos da microestrutura do BCTO em função de seu processamento. O óxido misto foi preparado pelo método de mistura dos óxidos reagentes seguida de reação em estado sólido. O BCTO foi sinterizado na temperatura de 950°C com tempos de patamar variando entre 1-12 h. Os principais resultados evidenciam a possibilidade de produção de cerâmicas densas independentemente do tempo de sinterização e com fase perovsquita característica. A densidade máxima foi obtida para tempo de 2 h. O modo característico de fratura do BCTO é misto (transgranular e intergranular), com grãos poligonais. A permissividade elétrica atingiu valor máximo (3.908 a 1 kHz e temperatura de 96ºC) para sinterização a 950ºC por 3 h.1429-1438openAccessbismuth compoundscopper compoundsceramicsdielectric materialspermittivitytitanatesoxygen compoundsoxidesmixturesTexto completo de eventohttps://orcid.org/0000-0002-8598-279Xhttps://orcid.org/0000-0001-9219-388X