PILLIS, M.F.BUSSOLIN, A.T.CARDOSO, L.P.SACILOTTI, M.2014-11-172014-11-182015-04-022014-11-172014-11-182015-04-02PILLIS, M.F.; BUSSOLIN, A.T.; CARDOSO, L.P.; SACILOTTI, M. Influência de parâmetros de processo na microestrutura de filmes de TiO2 obtidos por MOCVD. In: CONGRESSO BRASILEIRO DE CERAMICA, 54., 30 de maio - 2 de junho, 2010, Foz do Iguacu, PR. <b>Anais...</b> Disponível em: http://repositorio.ipen.br/handle/123456789/17978.http://repositorio.ipen.br/handle/123456789/17978Filmes finos de TiO2 foram crescidos em um reator MOCVD horizontal, sobre substratos de Si(100). O precursor utilizado foi isopropóxido de titânio, e nitrogênio foi utilizado tanto como gás de arraste do precursor quanto como gás vetor. Os ensaios foram conduzidos a 500°C. As variáveis de processo estudadas foram a pressão de crescimento (50 e 100 mbar), o fluxo de nitrogênio (0 a 0,8 slm), o tempo de crescimento (15 e 60 min) e a temperatura da fonte de isopropóxido (35 e 40°C). A caracterização das amostras foi feita por meio de técnicas de microscopia eletrônica de varredura com emissão de campo e difração de raios-X. Em todos os casos as estruturas de TiO2 apresentaram crescimento colunar e a velocidade de crescimento dos filmes variou entre 16 e 50 nm/min.openAccesstitanium oxidesthin filmschemical vapor depositionx-ray diffractionscanning electron microscopymicrostructureTexto completo de eventohttps://orcid.org/0000-0002-1423-871X