FUJIMOTO, T.G.MUCCILLO, E.N.S.2017-12-052017-12-05FUJIMOTO, T.G.; MUCCILLO, E.N.S. Influência do galato de lantânio na densificação e na microestrutura da zircônia estabilizada com ítria. In: CONGRESSO BRASILEIRO DE CERAMICA, 61., 04-07 de junho, 2017, Gramado, RS. <b>Anais...</b> p. 1485-1493. Disponível em: http://repositorio.ipen.br/handle/123456789/28098.http://repositorio.ipen.br/handle/123456789/28098A zircônia estabilizada com ítria (YSZ) vem sendo muito estudada para fins de aplicações, devido sua boa estabilidade química e térmica, além da alta condutividade iônica. Outro condutor iônico que merece destaque é o galato de lantânio com substituições de estrôncio e magnésio em aplicações como eletrólito sólido em células a combustível de óxido sólido em temperatura de operação intermediária (800°C – 1000°C). Neste trabalho, foi investigado o efeito da adição do galato de lantânio na densificação e na microestrutura da YSZ. O aditivo foi introduzido em teores de 10 e 20% em massa pelo método de mistura de óxidos seguido de sinterização a 1450°C Os resultados obtidos mostraram que com o aumento do teor de aditivo houve diminuição na densidade relativa das amostras de ~99% (YSZ) até ~92% (YSZ com 20% aditivo). Os perfis de difração de raios X mostraram como fase predominante a cúbica tipo fluorita, característica da YSZ. Análises feitas por dilatometria mostraram que as amostras contendo aditivo retraíram cerca de 27% até 1500ºC. O tamanho médio de grãos aumentou com conforme o aumento no teor de aditivo, que ficou confinado nos contornos de grão da YSZ.1485-1493openAccesszirconiumyttriummicrostructurelanthanumgallic acidTexto completo de eventohttps://orcid.org/0000-0001-9219-388X