CAIANO, SOLANO R.CRUZ, VANDERLEIBOTTARO, MARCIOLEITE, MARCO A.L.MURATA, HELIO M.BONIFACIO, DANIEL A.B.2022-01-052022-01-05CAIANO, SOLANO R.; CRUZ, VANDERLEI; BOTTARO, MARCIO; LEITE, MARCO A.L.; MURATA, HELIO M.; BONIFACIO, DANIEL A.B. Dependência da resolução em energia em função da temperatura de uma fotomultiplicadora de silício acoplada a um cristal cintilador. In: CONGRESSO BRASILEIRO DE METROLOGIA, 11; CONGRESSO BRASILEIRO DE METROLOGIA DAS RADIAÇÕES IONIZANTES, 8, 18-21 de outubro, 2021, Online. <b>Anais...</b> Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Metrologia, 2021. Disponível em: http://repositorio.ipen.br/handle/123456789/32630.http://repositorio.ipen.br/handle/123456789/32630A fotomultiplicadora de silício (SiPM – “Silicon Photomultiplier”) tornou-se um dispositivo importante capaz de detectar a radiação X e gama. Uma desvantagem dessa tecnologia é a dependência de temperatura que o material semicondutor possui. A caracterização em energia da SiPM, possibilita mensurar parâmetros importantes sobre o detector. A SiPM acoplada ao cristal cintilador, compõe o aparato experimental e as medidas são realizadas através de um osciloscópio. Os resultados apresentados demonstram o comportamento esperado da SiPM sem a influência do cristal cintilador. Com a análise dos espectros em energia, é possível desenvolver um método de controle capaz de minimizar a influência da dependência da temperatura.openAccesssilicon diodesphotomultipliersenergy resolutiontemperature dependencecrystalsphosphorsTexto completo de evento