Artur Wilson CarbonariSALUTTE, CAIO de O.2014-10-092014-10-092014-10-092014-10-092014SALUTTE, CAIO de O. <b>Investigação do óxido semicondutor CeO2 dopado com Fe e La pela espectroscopia de correlação angular gama-gama perturbada</b>. Orientador: Artur Wilson Carbonari. 2014. 91 f. Dissertação (Mestrado) - Instituto de Pesquisas Energeticas e Nucleares - IPEN-CNEN/SP, São Paulo. DOI: <a href="https://dx.doi.org/10.11606/D.85.2013.tde-25022014-142726">10.11606/D.85.2013.tde-25022014-142726</a>. Disponível em: http://repositorio.ipen.br/handle/123456789/10556.http://repositorio.ipen.br/handle/123456789/10556Amostras de dióxido de cério dopadas com La e Fe foram confeccionadas e caracterizadas por uma técnica nuclear baseada em interações hiperfinas conhecida como Correlação Angular Gama-Gama Perturbada (CAP). Como o composto em questão não é radioativo, foram utilizados núcleos radioativos como ponta de prova 111In 111Cd, que decaem através de uma cascata gama-gama 171-245 keV, com nível intermediário possui uma meia-vida de 84ns, spin 5/2- e um momento de quadrupolo elétrico Q= 0,83. Inicialmente uma metodologia para a produção das amostras precisou ser elaborada. As amostras de dióxido de cério e seus dopantes foram produzidas através do processo Sol-Gel, passando por uma calcinação e sinterização até a finalização da amostra. Sendo caracterizada por diversos tipos de técnicas (Difração de Raios-X e Microscopia Eletrônica de Varredura) culminando no estudo através da técnica CAP, para uma compreensão das interações quadrupolares elétricas das amostras e também a possibilidade da existência de comportamento magnético (assunto intensamente investigado dado o interesse na área da spintrônica). Os resultados encontrados foram analisados frente aos conhecimentos encontrados na literatura e as discussões foram feitas em função da variação do elemento dopante, tipos de tratamentos térmicos usados na sinterização e as diferentes temperaturas de medidas. Permitindo uma discussão e interpretação física dos resultados encontrados.91openAccesscerium oxidessemiconductor materialsdoped materialsironlanthanumhyperfine structureperturbed angular correlationspectroscopysol-gel processsinteringx-ray diffractionscanning electron microscopyInvestigação do óxido semicondutor CeO2 dopado com Fe e La pela espectroscopia de correlação angular gama-gama perturbadaInvestigation of semiconductor oxide CeO2 doped with Fe and La by means of perturbed angular gamma-gamma correlation techniqueDissertação10.11606/D.85.2013.tde-25022014-142726