EVERTON BONTURIM

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  • Tese IPEN-doc 23350
    Controle de propriedades multiferroicas em filmes finos óxidos dopados com íons terras raras para aplicação como dispositivos lógicos e de memória
    2017 - BONTURIM, EVERTON
    Nas últimas décadas, o consumo de dispositivos eletrônicos e a alta demanda por armazenamento de dados tem mostrado grandes oportunidades para a criação de novas tecnologias que garantam as necessidades mundiais na área de computação e desenvolvimento. Alguns materiais multiferroicos tem sido amplamente estudados e o BiFeO3, considerado o único material multiferroico em temperatura ambiente, ganhou destaque como candidato para produção de dispositivos lógicos e de memória. O uso de técnicas de crescimento como a deposição por laser pulsado permitiu a produção de filmes finos de BiFeO3 com elevado controle de qualidade. Heteroestruturas de filmes multiferroicos de BiFeO3 e LaBiFeO3 foram crescidas com diferentes espessuras sobre substratos de SrTiO3(100), DyScO3(110) e SrTiO3/Si(100) para avaliação e teste de suas propriedades elétricas e magnéticas. Filmes ferromagnéticos de Co0,9Fe0,1 foram depositados por sputtering sobre os filmes multiferroicos para avaliação da interação interfacial entre ordenamentos magnéticos. Técnicas como fotolitografia foram utilizadas para padronização de microdispositivos gravados sobre as amostras. Tanto os filmes finos de BiFeO3 como os de LaBiFeO3 foram crescidos epitaxialmente sobre os substratos já cobertos com uma camada buffer de SrRuO3 usado como contato elétrico inferior. A estrutura cristalina romboédrica das ferritas de bismuto foi confirmada pelos dados de difração de raios X, bem como a manutenção de tensão estrutural causada pela rede cristalina do substrato para amostras de 20 nm. Os valores de coeficiente do tensor piezelétrico d33 foram da ordem de 0,15 V (∼ 60 kV.cm-2) para amostras com 20 nm de espessura enquanto que os valores de voltagem coerciva para as análises de histerese elétrica foram da ordem de 0,5 V para as mesmas amostras. A relação de coercividade elétrica com a espessura corresponde ao perfil encontrado na literatura pela relação E≈d-2/3. As amostras de CoFe/BFO e CoFe/LBFO depositadas em diferentes substratos apresentam acoplamento interfacial entre ordenamento ferromagnético e antiferromagnético com momento ferromagnético de rede.
  • Resumo IPEN-doc 23273
    Investigation of rare earth distribution in Sr2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+ nanophosphors prepared by wet-chemical routes
    2017 - BONTURIM, E.; REIS, R. dos; MERIZIO, L.G.; RODRIGUES, L.C.V.; BRITO, H.F.; FELINTO, M.C.F.C.
    Luminescent materials have been developed through ne chemistry methods that help to achieve a better control of parameters such as morphology, particle size, atomic homogeneity and high purity single phase in low temperature synthesis.[1, 2] In this work, the material Sr1:98MgSi2O7 nanoparticles doped with 0.01 mol of Eu2+ and codoped with 0.01 mol of Dy3+ was prepared via Pechini and Condensation methods. Post-annealing by microwave assisted method using granular coal as the susceptor/reducing agent [3] was applied on both materials and their luminescent properties were compared. The structural position of Eu2+ used as the activator ions determines photoluminescence properties. The luminescence spectra of Sr2MgSi2O7:Rn+ nanomaterial (R: Eu2+, Dy3+) shows a high emission broad band assigned to the intercon gurational transition 4f65d1 ! 4f7 centered around 460 nm, which is overlapped with a low emission lines attributed to the 4F9=2 ! 6H13=2 transition of Dy3+ ion (Fig. 1b). Elemental mappings obtained by Energy Dispersive X-Ray (EDX) presents dopants more likely to be found at the edge, indicating a possible segregation of rare earths to the grain boundaries during the synthesis (Fig. 1c). The persistent luminescence phenomenon emitting in a blue region was observed for both nanomaterials.
  • Artigo IPEN-doc 23270
    Persistent luminescence of inorganic nanophosphors prepared by wet-chemical synthesis
    2018 - BONTURIM, EVERTON; MERIZIO, LEONNAM G.; REIS, ROBERTO dos; BRITO, HERMI F.; RODRIGUES, LUCAS C.V.; FELINTO, MARIA C.F.C.
    The synthesis of efficient nanosized persistent luminescence materials remains a challenge for the community. Paradoxically, due to the dependence of the point lattice defects and the persistent luminescence efficiency, the control of the defect formation, favorable when the materials are prepared at high temperatures, normally leads to particle growth and sintering. In this work, efficient nanosized rare earth doped disilicates Sr2MgSi2O7:Eu2þ,Dy3þ were synthesized via three different wet-chemical methods taking advantages of the microwave-assisted reduction process as a support step to produce high-quality polycrystalline materials. The crystallite size of the sample showed to be smaller when the decomposition temperature of the precursors is higher and close to the phase formation energy. The excitation VUV spectroscopy indicated that despite being nanocrystalline, the materials optical band gap has just a small difference compared one to another. The reduction of Eu3þ to Eu2þ was successfully obtained, since the f-d interconfigurational transitions of Eu2þ 4f65d1/4f7 emission were observed in the blue region of the spectra. The persistent luminescence efficiency measured through its lasting decay time was close to the commercial materials references and with the advantage of having size control during the synthesis method that can lead to the size dependent applications of photonic materials.