Ablação seletiva por laser de femtossegundo de um filme de TiN depositado sobre um substrato de WC

Página do item simplificado
dc.contributor.authorSPINELLI, EDUARDO
dc.contributor.authorSAMAD, RICARDO E.
dc.contributor.authorVIEIRA JUNIOR, NILSON D.
dc.contributor.authorROSSI, WAGNER de
dc.coverageNacionalpt_BR
dc.creator.eventoCONGRESSO ANUAL DA ABM, 71.pt_BR
dc.date.accessioned2017-03-27T12:24:07Z
dc.date.available2017-03-27T12:24:07Z
dc.date.evento27-29 de setembro, 2016pt_BR
dc.description.abstractA tecnologia de filmes finos vem sendo cada vez mais utilizada nas mais diversas áreas, principalmente em células de combustível, células fotovoltaicas além de recobrimentos com diversas funções (ópticas, decorativas, proteção ambiental, proteção ao desgaste mecânico, como barreiras de difusão, dentre outros) [1]. Os filmes são normalmente depositados por sputering, sendo muitas vezes necessário impedir o crescimento do filme, ou até mesmo, eliminar a camada em determinadas regiões da superfície, como por exemplo, para fabricação de células fotovoltaicas. Um dos métodos utilizados para remoção de filmes é a ablação seletiva por laser, que, com o avanço das técnicas de controle e equipamentos cada vez mais precisos, vem ganhando espaço nos processos industriais de fabricação [2]. No entanto, caso o limiar de ablação do filme seja maior que o do substrato, o processo poderá se tornar muito complexo, este trabalho tem por objetivo desenvolver um método que permita a remoção seletiva de filmes desta natureza, ou seja, com limiar de ablação maior que o do substrato onde foram depositados, utilizando um laser de pulsos ultracurtos.pt_BR
dc.identifier.citationSPINELLI, EDUARDO; SAMAD, RICARDO E.; VIEIRA JUNIOR, NILSON D.; ROSSI, WAGNER de. Ablação seletiva por laser de femtossegundo de um filme de TiN depositado sobre um substrato de WC. In: CONGRESSO ANUAL DA ABM, 71., 27-29 de setembro, 2016, Riocentro, Rio de Janeiro. <b>Resumo...</b> Disponível em: http://repositorio.ipen.br/handle/123456789/27335.
dc.identifier.orcidhttps://orcid.org/0000-0003-1371-7521
dc.identifier.orcidhttps://orcid.org/0000-0003-0092-9357
dc.identifier.orcidhttps://orcid.org/0000-0001-7762-8961
dc.identifier.urihttp://repositorio.ipen.br/handle/123456789/27335
dc.local.eventoRiocentro, Rio de Janeiropt_BR
dc.rightsopenAccesspt_BR
dc.titleAblação seletiva por laser de femtossegundo de um filme de TiN depositado sobre um substrato de WCpt_BR
dc.typeResumo de eventos científicospt_BR
dspace.entity.typePublication
ipen.autorWAGNER DE ROSSI
ipen.autorNILSON DIAS VIEIRA JUNIOR
ipen.autorRICARDO ELGUL SAMAD
ipen.autorEDUARDO SPINELLI OLIVEIRA
ipen.codigoautor73
ipen.codigoautor1582
ipen.codigoautor909
ipen.codigoautor11596
ipen.contributor.ipenauthorWAGNER DE ROSSI
ipen.contributor.ipenauthorNILSON DIAS VIEIRA JUNIOR
ipen.contributor.ipenauthorRICARDO ELGUL SAMAD
ipen.contributor.ipenauthorEDUARDO SPINELLI OLIVEIRA
ipen.date.recebimento17-03pt_BR
ipen.event.datapadronizada2016pt_BR
ipen.identifier.ipendoc23673pt_BR
ipen.notas.internasResumopt_BR
ipen.type.genreResumo
relation.isAuthorOfPublication4e856bd3-cb24-4e4f-902b-58fd9ddf811f
relation.isAuthorOfPublicationb5e4f489-bfb7-4e48-ae3a-eced2bb93a16
relation.isAuthorOfPublicationb9c43c0c-87a6-4ebd-92ff-2515c4ac1d34
relation.isAuthorOfPublicationa8f457c4-09cf-4418-9cec-8b977c6434dc
relation.isAuthorOfPublication.latestForDiscoverya8f457c4-09cf-4418-9cec-8b977c6434dc
sigepi.autor.atividadeSPINELLI, EDUARDO:11596:920:Spt_BR
sigepi.autor.atividadeSAMAD, RICARDO E.:909:930:Npt_BR
sigepi.autor.atividadeVIEIRA JUNIOR, NILSON D.:1582:930:Npt_BR
sigepi.autor.atividadeROSSI, WAGNER DE:73:920:Npt_BR
Pacote Original
Agora exibindo 1 - 1 de 1
Imagem de Miniatura
Nome:
23673.pdf
Tamanho:
578.45 KB
Formato:
Adobe Portable Document Format
Descrição:
Baixar
Licença do Pacote
Agora exibindo 1 - 1 de 1
Nenhuma Miniatura disponível
Nome:
license.txt
Tamanho:
1.71 KB
Formato:
Item-specific license agreed upon to submission
Descrição:
Baixar
Coleções
Eventos - Resumos