Influência da zircônia estabilizada com ítria nas propriedades elétrica e microestrutura do galato de lantânio

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dc.contributor.authorFUJIMOTO, T.G.
dc.contributor.authorMUCCILLO, E.N.S.
dc.coverageNacionalpt_BR
dc.creator.eventoCONGRESSO BRASILEIRO DE ENGENHARIA E CIÊNCIA DOS MATERIAIS, 23.pt_BR
dc.date.accessioned2019-02-19T16:28:07Z
dc.date.available2019-02-19T16:28:07Z
dc.date.evento04-08 de novembro, 2018pt_BR
dc.description.abstractO galato de lantânio com substituições parciais de estrôncio e magnésio (LSGM) possui condutividade iônica superior aos condutores iônicos convencionais, como zircônia estabilizada com ítria (8YZS). Esta característica o torna de interesse tecnológico como eletrólito sólido em células a combustível de óxido sólido (SOFC), que operam em temperaturas intermediárias (500-700°C). Paralelamente ao desenvolvimento de novos eletrólitos sólidos para aplicação em SOFC, também se tem procurado meios de otimizar as propriedades dos materiais conhecidos. Com base nisso, neste trabalho foi investigada a influência de adições de 8YSZ nas propriedades elétricas e na microestrutura do LSGM. O aditivo foi introduzido nos teores de 1, 10 e 20% em massa pelo método de mistura de óxidos seguido de sinterização a 1450ºC. As principais técnicas de caracterização empregadas foram a determinação da densidade aparente de amostras sinterizadas pelo método hidrostático, identificação de fases por difração de raios X, análise microestrutural por microscopia eletrônica de varredura e caracterização elétrica por meio de medidas de espectroscopia de impedância. Os resultados obtidos mostraram que com o aumento do teor de aditivo as amostras atingiram densidade relativa ~99% para até 10% em massa de 8YSZ, porém aumentando o teor de aditivo para 20% esse valor diminui para ~92%. Os perfis de difração de raios X mostraram a fase predominante do LSGM. O tamanho médio de grãos aumentou conforme o aumento no teor de aditivo. O valor mais elevado de condutividade iônica foi obtido com adições de 1% em massa de 8YSZ.pt_BR
dc.event.siglaCBECiMatpt_BR
dc.format.extent653-653pt_BR
dc.identifier.citationFUJIMOTO, T.G.; MUCCILLO, E.N.S. Influência da zircônia estabilizada com ítria nas propriedades elétrica e microestrutura do galato de lantânio. In: CONGRESSO BRASILEIRO DE ENGENHARIA E CIÊNCIA DOS MATERIAIS, 23., 04-08 de novembro, 2018, Foz do Iguaçu, PR. <b>Resumo...</b> p. 653-653. Disponível em: http://repositorio.ipen.br/handle/123456789/29646.
dc.identifier.orcidaguardandopt_BR
dc.identifier.orcidhttps://orcid.org/0000-0001-9219-388X
dc.identifier.urihttp://repositorio.ipen.br/handle/123456789/29646
dc.local.eventoFoz do Iguaçu, PRpt_BR
dc.rightsopenAccesspt_BR
dc.subjectyttrium oxides
dc.subjectzirconium oxides
dc.subjectmicrostructure
dc.subjectelectrical properties
dc.subjectlanthanum oxides
dc.subjectyttrium
dc.subjecttemperature range 0400-1000 k
dc.subjectionic conductivity
dc.subjectoxides
dc.subjectmixtures
dc.titleInfluência da zircônia estabilizada com ítria nas propriedades elétrica e microestrutura do galato de lantâniopt_BR
dc.typeResumo de eventos científicospt_BR
dspace.entity.typePublication
ipen.autorELIANA NAVARRO DOS SANTOS MUCCILLO
ipen.autorTALITA GISHITOMI FUJIMOTO
ipen.codigoautor1298
ipen.codigoautor10179
ipen.contributor.ipenauthorELIANA NAVARRO DOS SANTOS MUCCILLO
ipen.contributor.ipenauthorTALITA GISHITOMI FUJIMOTO
ipen.date.recebimento19-02pt_BR
ipen.event.datapadronizada2018pt_BR
ipen.identifier.ipendoc25399pt_BR
ipen.notas.internasResumopt_BR
ipen.type.genreResumo
relation.isAuthorOfPublicationbc09f7ae-f25e-4f60-87a3-0c89989e8304
relation.isAuthorOfPublication8c39ad36-1724-4970-88ac-6665c04400b6
relation.isAuthorOfPublication.latestForDiscovery8c39ad36-1724-4970-88ac-6665c04400b6
sigepi.autor.atividadeFUJIMOTO, T.G.:10179:720:Spt_BR
sigepi.autor.atividadeMUCCILLO, E.N.S.:1298:720:Npt_BR
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