Controle de propriedades multiferroicas em filmes finos óxidos dopados com íons terras raras para aplicação como dispositivos lógicos e de memória

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dc.contributor.advisorMaria Claudia Franca da Cunha Felintopt_BR
dc.contributor.authorBONTURIM, EVERTON
dc.coverageNacionalpt_BR
dc.date.accessioned2017-11-22T14:03:18Z
dc.date.available2017-11-22T14:03:18Z
dc.date.issued2017pt_BR
dc.description.abstractNas últimas décadas, o consumo de dispositivos eletrônicos e a alta demanda por armazenamento de dados tem mostrado grandes oportunidades para a criação de novas tecnologias que garantam as necessidades mundiais na área de computação e desenvolvimento. Alguns materiais multiferroicos tem sido amplamente estudados e o BiFeO3, considerado o único material multiferroico em temperatura ambiente, ganhou destaque como candidato para produção de dispositivos lógicos e de memória. O uso de técnicas de crescimento como a deposição por laser pulsado permitiu a produção de filmes finos de BiFeO3 com elevado controle de qualidade. Heteroestruturas de filmes multiferroicos de BiFeO3 e LaBiFeO3 foram crescidas com diferentes espessuras sobre substratos de SrTiO3(100), DyScO3(110) e SrTiO3/Si(100) para avaliação e teste de suas propriedades elétricas e magnéticas. Filmes ferromagnéticos de Co0,9Fe0,1 foram depositados por sputtering sobre os filmes multiferroicos para avaliação da interação interfacial entre ordenamentos magnéticos. Técnicas como fotolitografia foram utilizadas para padronização de microdispositivos gravados sobre as amostras. Tanto os filmes finos de BiFeO3 como os de LaBiFeO3 foram crescidos epitaxialmente sobre os substratos já cobertos com uma camada buffer de SrRuO3 usado como contato elétrico inferior. A estrutura cristalina romboédrica das ferritas de bismuto foi confirmada pelos dados de difração de raios X, bem como a manutenção de tensão estrutural causada pela rede cristalina do substrato para amostras de 20 nm. Os valores de coeficiente do tensor piezelétrico d33 foram da ordem de 0,15 V (∼ 60 kV.cm-2) para amostras com 20 nm de espessura enquanto que os valores de voltagem coerciva para as análises de histerese elétrica foram da ordem de 0,5 V para as mesmas amostras. A relação de coercividade elétrica com a espessura corresponde ao perfil encontrado na literatura pela relação E≈d-2/3. As amostras de CoFe/BFO e CoFe/LBFO depositadas em diferentes substratos apresentam acoplamento interfacial entre ordenamento ferromagnético e antiferromagnético com momento ferromagnético de rede.pt_BR
dc.description.notasgeraisTese (Doutorado em Tecnologia Nuclear)pt_BR
dc.description.notasteseIPEN/Tpt_BR
dc.description.sponsorshipCoordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)
dc.description.sponsorshipConselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)
dc.description.sponsorshipIDCAPES:99999.009511/2014-08
dc.description.sponsorshipIDCNPq:146622/2013-2
dc.description.teseinstituicaoInstituto de Pesquisas Energéticas e Nucleares - IPEN-CNEN/SPpt_BR
dc.format.extent159pt_BR
dc.identifier.citationBONTURIM, EVERTON. <b>Controle de propriedades multiferroicas em filmes finos óxidos dopados com íons terras raras para aplicação como dispositivos lógicos e de memória</b>. Orientador: Maria Claudia Franca da Cunha Felinto. 2017. 159 f. Tese (Doutorado em Tecnologia Nuclear) - Instituto de Pesquisas Energéticas e Nucleares - IPEN-CNEN/SP, São Paulo. DOI: <a href="https://dx.doi.org/10.11606/T.85.2017.tde-30102017-090010">10.11606/T.85.2017.tde-30102017-090010</a>. Disponível em: http://repositorio.ipen.br/handle/123456789/28033.
dc.identifier.doi10.11606/T.85.2017.tde-30102017-090010
dc.identifier.urihttp://repositorio.ipen.br/handle/123456789/28033
dc.localSão Paulopt_BR
dc.rightsopenAccesspt_BR
dc.subjectoxygen compoundspt_BR
dc.subjectiron base alloyspt_BR
dc.subjectbismuth alloyspt_BR
dc.subjectbismuth additionspt_BR
dc.subjectstrontium titanatespt_BR
dc.subjectrare earthspt_BR
dc.subjectthin filmspt_BR
dc.subjectferromagnetic materialspt_BR
dc.subjectelectromagnetic fieldspt_BR
dc.subjectparametric instabilitiespt_BR
dc.subjectx-ray diffractionpt_BR
dc.subjectelectromagnetic testingpt_BR
dc.subjectphotoresistorspt_BR
dc.subjecttrigonal latticespt_BR
dc.subjectcomparative evaluationspt_BR
dc.titleControle de propriedades multiferroicas em filmes finos óxidos dopados com íons terras raras para aplicação como dispositivos lógicos e de memóriapt_BR
dc.title.alternativeControl of multiferroic properties in rare earth doped oxide thin films for memory and logic device applicationspt_BR
dc.typeTesept_BR
dspace.entity.typePublication
ipen.autorEVERTON BONTURIM
ipen.codigoautor7702
ipen.contributor.ipenauthorEVERTON BONTURIM
ipen.date.recebimento17-11pt_BR
ipen.identifier.ipendoc23350pt_BR
ipen.meioeletronicohttp://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/85/85134/tde-30102017-090010/pt-br.phppt_BR
ipen.type.genreTese
relation.isAuthorOfPublicationd22767db-eb73-49fb-a4be-2c745f61773a
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sigepi.autor.atividadeBONTURIM, EVERTON:7702:750:Spt_BR
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