Compósitos Si3N4-TiN para aplicações estruturais
dc.contributor.advisor | Cecilia Chaves Guedes e Silva | pt_BR |
dc.contributor.author | FERREIRA, THIAGO dos S. | pt_BR |
dc.coverage | Nacional | pt_BR |
dc.date.accessioned | 2019-12-10T13:09:46Z | |
dc.date.available | 2019-12-10T13:09:46Z | |
dc.date.issued | 2019 | pt_BR |
dc.description.abstract | O nitreto de silício (Si3N4) é um material utilizado em diversas aplicações estruturais devido à suas ótimas propriedades mecânicas inclusive a altas temperaturas, como elevada dureza e resistência mecânica, além de alta resistência ao choque térmico e ao desgaste. Visando ampliar seu campo de aplicação, busca-se a melhoria da tenacidade à fratura do material e a simplificação de seu processamento. A produção de compósitos cerâmicos contendo o Si3N4 como matriz cerâmica e uma segunda fase como reforço tem sido estudada por gerar o aumento da tenacidade à fratura. No presente trabalho, estudou-se a influência de diferentes percentuais de TiN (até 30% em massa) na matriz de Si3N4, contendo Al2O3 e Y2O3 (5% em massa de cada) como aditivos. Os compósitos cerâmicos foram avaliados quanto ao comportamento de densificação, microestrutura, propriedades mecânicas e resistência à oxidação. Amostras foram obtidas por prensagem uniaxial e isostática, e sinterizadas com baixa pressão de nitrogênio em duas condições (1750°C/1 hora e 1815°C/1 hora). As composições foram caracterizadas pelo estudo das densidades relativas (geométrica e aparente pelo método de Arquimedes), porosidade e perda de massa. A densidade das composições atingiu valores entre 97,0 e 98,0% da densidade teórica, com porosidade aparente inferiores a 0,5%, comprovando a eficiência dos aditivos de sinterização. O aumento da quantidade de nitreto de titânio no compósito cerâmico ocasionou uma tendência de redução da densidade relativa e de aumento da porosidade aparente. As análises por difração de raios X, MEV e EDS mostraram a presença da fase TiN dispersa na matriz de β-Si3N4, com a presença de fase amorfa intergranular. O método da impressão Vickers foi utilizado para medição da dureza e da tenacidade à fratura. A dureza medida apresentou valores entre 12,5 e 13,2 GPa, condizente com os valores apresentados pelo material monolítico, enquanto a tenacidade à fratura variou entre 6,3 e 9,3 MPa.m1/2, aumentando com a proporção de TiN no compósito cerâmico. A resistência à flexão, obtida pelo ensaio de flexão biaxial do disco apoiado em três esferas, apresentou o mesmo comportamento da tenacidade à fratura, atingindo 397,4 MPa no compósito contendo 30% de TiN e sinterizado a 1750°C, condição na qual os valores de resistência foram superiores. O estudo de oxidação foi avaliado submetendo as amostras a tratamento térmico ao ar a 1400°C por até 64 horas e apresentou valores de ganho de massa por área entre 0,7 e 6,4 mg/cm2, crescente em função do percentual de TiN presente no compósito e do tempo de ensaio. As camadas superficiais das amostras também foram analisadas por difração de raios X, MEV e EDS, identificando a presença do β-Si3N4, da SiO2 (cristobalita α), do TiO2 (rutilo), Y2Ti2O7 e Y2Si2O7 (Keiviite). A presença destas fases após a oxidação indica que ocorreu a liberação de N2 a partir do Si3N4 e do TiN, e a reação do O2 do ambiente com os elementos da fase vítrea presente nos contornos de grãos. Conforme esperado ocorreu a formação de uma camada superficial de TiO2 (rutilo), seguida por uma camada de SiO2 contendo precipitados compostos pelo óxido de titânio-ítrio e pelo silicato de ítrio, formados a partir dos cátions provenientes dos aditivos de sinterização. | pt_BR |
dc.description.notasgerais | Dissertação (Mestrado em Tecnologia Nuclear) | pt_BR |
dc.description.notastese | IPEN/D | pt_BR |
dc.description.sponsorship | Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP) | pt_BR |
dc.description.sponsorshipID | FAPESP: 15/02265-7 | pt_BR |
dc.description.teseinstituicao | Instituto de Pesquisas Energéticas e Nucleares - IPEN-CNEN/SP | pt_BR |
dc.format.extent | 103 | pt_BR |
dc.identifier.citation | FERREIRA, THIAGO dos S. <b>Compósitos Si3N4-TiN para aplicações estruturais</b>. Orientador: Cecilia Chaves Guedes e Silva. 2019. 103 f. Dissertação (Mestrado em Tecnologia Nuclear) - Instituto de Pesquisas Energéticas e Nucleares - IPEN-CNEN/SP, São Paulo. DOI: <a href="https://dx.doi.org/10.11606/D.85.2019.tde-06112019-110637">10.11606/D.85.2019.tde-06112019-110637</a>. Disponível em: http://repositorio.ipen.br/handle/123456789/30428. | |
dc.identifier.doi | 10.11606/D.85.2019.tde-06112019-110637 | pt_BR |
dc.identifier.uri | http://repositorio.ipen.br/handle/123456789/30428 | |
dc.local | São Paulo | pt_BR |
dc.rights | openAccess | pt_BR |
dc.subject | ceramics | |
dc.subject | silicon nitrides | |
dc.subject | yttrium alloys | |
dc.subject | aluminium oxides | |
dc.subject | oxide minerals | |
dc.subject | titanium oxides | |
dc.subject | nitrogen additions | |
dc.subject | microstructure | |
dc.subject | materials testing | |
dc.subject | trace amounts | |
dc.subject | sintering | |
dc.subject | hardness | |
dc.subject | fracture properties | |
dc.subject | mechanical properties | |
dc.subject | implants | |
dc.subject | x-ray diffraction | |
dc.subject | scanning electron microscopy | |
dc.subject | dispersion relations | |
dc.title | Compósitos Si3N4-TiN para aplicações estruturais | pt_BR |
dc.title.alternative | Si3N4-TiN composites for structural applications | pt_BR |
dc.type | Dissertação | pt_BR |
dspace.entity.type | Publication | |
ipen.autor | THIAGO DOS SANTOS FERREIRA | |
ipen.codigoautor | 3402 | |
ipen.contributor.ipenauthor | THIAGO DOS SANTOS FERREIRA | |
ipen.date.recebimento | 19-12 | |
ipen.identifier.ipendoc | 26405 | pt_BR |
ipen.meioeletronico | https://teses.usp.br/teses/disponiveis/85/85134/tde-06112019-110637/pt-br.php | pt_BR |
ipen.type.genre | Dissertação | |
relation.isAuthorOfPublication | 334f8841-5c17-4cd1-995b-9cfaf53eb4dd | |
relation.isAuthorOfPublication.latestForDiscovery | 334f8841-5c17-4cd1-995b-9cfaf53eb4dd | |
sigepi.autor.atividade | FERREIRA, THIAGO DOS SANTOS:3402:720:S | pt_BR |
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