DANILO LOPES COSTA E SILVA
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Artigo IPEN-doc 25139 Evaluation of carbon thin films using raman spectroscopy2018 - SILVA, DANILO L.C. e; KASSAB, LUCIANA R.P.; SANTOS, ANTONIO D. dos; PILLIS, MARINA F.Carbon thin films deposited by the magnetron sputtering technique were evaluated by Raman spectroscopy to study the influence on their crystallinity caused by different parameters like the carbon deposition time, the different buffer-layers and substrates employed and also two distinct heat treatments. The present results showed that the choice of these parameters plays an important role in the production of these films. The results also indicate the possibility of using the technique for the production of carbon thin films to be employed in future in applications with controlled content of structural defects, predominance of ordered sp2 bondings and tendency of graphitization.Artigo IPEN-doc 23143 Characterization of thin carbon films produced by the magnetron sputtering technique2016 - COSTA E SILVA, DANILO L.; KASSAB, LUCIANA R.P.; MARTINELLI, JOSE R.; SANTOS, ANTONIO D. dos; RIBEIRO, SIDNEY J.L.; SANTOS, MOLIRIA V. dosThin carbon films containing both amorphous and crystalline structures were produced by RF magnetron sputtering. The depositions of the carbon films were performed on Co buffer layers previously deposited on c-plane (0001) sapphire substrates. The thin carbon films were characterized by high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM), X-ray diffraction (XRD), Raman spectroscopy, energy dispersive X-ray spectroscopy (EDS), and field emission scanning electron microscope (FEG-SEM). The Raman spectra confirmed the presence of amorphous and crystalline structures by the existence of an intense D band separated from the G band, indicating early stages of crystallization. The interplanar distance corresponding to the graphite structures was determined by using HRTEM micrographs.Artigo IPEN-doc 23983 Production and characterization of carbon thin films by the magnetron sputtering technique2017 - SILVA, D.L.C.; KASSAB, L.R.P.; MARTINELLI, J.R.; SANTOS, A.D.; PILLIS, M.F.Carbon thin films were produced by the magnetron sputtering technique. The deposition of the carbon films was performed on Co buffer-layers previously deposited on c-plane (0001) sapphire substrates. The samples were thermally treated under vacuum conditions and characterized by Raman spectroscopy, scanning electron microscopy (SEM) and X-ray diffraction (XRD). The XRD peak related to the carbon film was observed and the Raman spectroscopy indicated a good degree of crystallinity of the carbon film.Dissertação IPEN-doc 20953 Filmes finos de carbono depositados por meio da técnica de magnetron sputtering usando cobalto, cobre e níquel como buffer-layers2015 - COSTA e SILVA, DANILO L.Neste trabalho, foram produzidos filmes finos de carbono pela técnica de magnetron sputtering usando substratos monocristalinos de alumina com plano-c orientado em (0001) e substratos de Si (111) e Si (100), empregando Co, Ni e Cu como filmes intermediários (buffer-layers). As deposições foram conduzidas em três etapas, sendo primeiramente realizadas com buffer-layers de cobalto em substratos de alumina, onde somente após a produção de grande número de amostras, foram então realizadas as deposições usando buffer-layer de cobre em substratos de Si. Em seguida foram realizadas as deposições com buffer-layers de níquel em substratos de alumina. A cristalinidade dos filmes de carbono foi avaliada por meio da técnica de espectroscopia Raman e complementarmente por difração de raios X (DRX). A caracterização morfológica dos filmes foi feita por meio da microscopia eletrônica de varredura (MEV E FEG-SEM) e microscopia eletrônica de transmissão de alta resolução (HRTEM). Picos de DRX referentes aos filmes de carbono foram observados apenas nos resultados das amostras com buffer-layers de cobalto e de níquel. A espectroscopia Raman mostrou que os filmes de carbono com maior grau de cristalinidade foram os produzidos com substratos de Si (111) e buffers de Cu, e com substratos de alumina com buffer-layers de Ni e Co, tendo este último uma amostra com o maior grau de cristalinidade de todas as produzidas no trabalho. Foi observado que o cobalto possui menor recobrimento sobre os substratos de alumina quando comparado ao níquel. Foram realizados testes de absorção de íons de Ce pelos filmes de carbono em duas amostras e foi observado que a absorção não ocorreu devido, provavelmente, ao baixo grau de cristalinidade dos filmes de carbono em ambas amostras.