Influência da zona morta na resolução em energia para diodos de Si

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dc.contributor.authorPASCOALINO, KELLY C. da S.
dc.contributor.authorTOBIAS, CARMEN C.B.
dc.coverageNacionalpt_BR
dc.creator.eventoPROGRAMA INSTITUCIONAL DE BOLSAS DE INICIAÇÃO CIENTÍFICA, 13.; PROGRAMA DE BOLSAS E INICIAÇÃO CIENTÍFICA CNEN, 4.pt_BR
dc.date.accessioned2016-04-11T18:20:49Z
dc.date.available2016-04-11T18:20:49Z
dc.date.evento29-30 de agosto, 2007pt_BR
dc.event.siglaPIBIC; PROBICpt_BR
dc.identifier.citationPASCOALINO, KELLY C. da S.; TOBIAS, CARMEN C.B. Influência da zona morta na resolução em energia para diodos de Si. In: PROGRAMA INSTITUCIONAL DE BOLSAS DE INICIAÇÃO CIENTÍFICA, 13.; PROGRAMA DE BOLSAS E INICIAÇÃO CIENTÍFICA CNEN, 4., 29-30 de agosto, 2007, São Paulo, SP. <b>Resumo expandido...</b> Disponível em: http://repositorio.ipen.br/handle/123456789/26119.
dc.identifier.orcidhttps://orcid.org/0000-0001-7881-7254
dc.identifier.urihttp://repositorio.ipen.br/handle/123456789/26119
dc.local.eventoSão Paulo, SPpt_BR
dc.rightsopenAccesspt_BR
dc.subjectalpha spectroscopy
dc.subjectenergy resolution
dc.subjectsilicon diodes
dc.subjectpolarization
dc.subjectenergy spectra
dc.titleInfluência da zona morta na resolução em energia para diodos de Sipt_BR
dc.typeIniciação Científicapt_BR
dspace.entity.typePublication
ipen.autorCARMEN CECILIA BUENO TOBIAS
ipen.autorKELLY CRISTINA DA SILVA PASCOALINO
ipen.codigoautor1592
ipen.codigoautor6608
ipen.contributor.ipenauthorCARMEN CECILIA BUENO TOBIAS
ipen.contributor.ipenauthorKELLY CRISTINA DA SILVA PASCOALINO
ipen.date.recebimento16-02pt_BR
ipen.event.datapadronizada2007pt_BR
ipen.identifier.ipendoc22110pt_BR
ipen.notas.internasResumo expandidopt_BR
ipen.type.genreResumo
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relation.isAuthorOfPublication3635b910-bf6b-403f-9a41-6b16dcd43d8a
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sigepi.autor.atividadePASCOALINO, KELLY C. DA S.:6608:5:S
sigepi.autor.atividadeTOBIAS, CARMEN C.B.:1592:5:N

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