Deposição eletroquímica de filme de ZnO dopado com N e sua superior atividade para inativação de microrganismos

Abstract

Este estudo avaliou a inativação fotoeletrocatalítica de Staphylococcus aureus, Escherichia coli e Candida albicans sobre filmes de ZnO dopados com nitrogênio (ZnO:N). Os filmes foram preparados por deposição eletroquímica com diferentes concentrações de dopagem. Os padrões de difração de raios X (XRD) mostraram que os filmes de ZnO puro e ZnO:N exibiram uma estrutura cristalina wurtzita. Imagens de microscopia eletrônica de varredura revelaram filmes com morfologia de nanobastões de seção transversal hexagonal. A dopagem com nitrogênio causou uma diminuição nos valores da energia da banda proibida (EBG) de 3,17 para 3,12 eV. Estudos fotoeletroquímicos mostraram uma maior densidade de fotocorrente para ZnO:N em comparação com filmes de ZnO, atingindo 60 μA cm-2 a 0,70 V (vs. Ag/AgCl). Todas as amostras, sob irradiação visível, apresentaram atividade catalítica na inibição de Staphylococcus aureus, Escherichia coli e Candida albicans, no entanto, o filme ZnO:N-40 mostrou resultado superior.