NOE GABRIEL PINHEIRO MACHADO
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Resumo IPEN-doc 25359 Caracterização de ligas a base de tungstênio para atenuação da radiação gama2018 - SOUZA, A.C.; ROSSI, J.L.; CIONE, F.C.; SILVA, W.F. da; PEREIRA, M.F.; MACHADO, N.G.P.A ciência e tecnologia de materiais têm um grande interesse no desenvolvimento de novos compósitos de tungstênio, devido sua grande aplicabilidade na área de transporte de material nuclear, o qual representa ainda um grande problema para o Brasil, considerando que o País não possui um equipamento de fabricação nacional para esse fim. Na indústria nuclear o tungstênio possui muitas aplicações, devido às suas boas propriedades mecânicas, alto ponto de fusão e excelente seção de choque com nêutrons térmicos, sendo usado para blindagem de radiação de alta energia. Alguns dos principais elementos de liga adicionados ao tungstênio são Nb, Cr, Cu, Fe, Ni, Mo, Co, Sn, Ti e Ta, sendo os responsáveis pelas mudanças das propriedades físicas e químicas do material, principalmente sua blindagem a radiação. A finalidade deste trabalho é realizar o processamento de pós metálicos para a obtenção de uma nova liga metálica para atenuação da radiação gama, usando como matriz o tungstênio e os elementos infiltrantes cobre e níquel. O material será caracterizado utilizando as técnicas de difratometria de raios X, microscopia eletrônica de varredura (MEV), com energia dispersiva (EDS) e as medidas de atenuação da radiação gama, usando como fonte radioativa o Co-60 com picos característicos de 1173 e 1332 MeV. Os resultados mostraram que foi possível obter as novas ligas e determinar os coeficientes de atenuação da radiação gama na ordem de 16% menor, quando comparado com o elemento padrão de W. O trabalho contribuirá diretamente no processo de fabricação de um embalado que possa transportar substância com alta atividade nuclear com tecnologia nacional pertencente ao IPEN.Resumo IPEN-doc 25015 Analysis of temperature on microscope slide by a boron pulsed laser deposition process2018 - SILVA, ANDRE F.; COSTA, PRISCILA; MACHADO, NOE G.P.; SAMAD, RICARDO E.; ZEZELL, DENISE M.; RAELE, MARCUS P.; ZAMATARO, CLAUDIA B.A boron thin ¯lm can be used for neutrons conversion and in electrically charged particles and further detection. Since boron has a high evaporation temperature and the thickness of the boron layer needs to have few microns, pulsed laser deposition also known as PLD can be used. When producing thin ¯lms with the PLD technique, the target absorbs energy promoting the material ablation creating a plasma plume that deposits material on a substrate, thus creating a thin ¯lm. Since all the deposition occurs in a vacuum chamber, the residual heat of the plasma that condensate at the substrate can build up, thus potentially source of concern if the substrate sensitive to temperature somehow. This work reports the analysis of the variation of temperature in a microscope slide (substrate) as a function of the energy of femtosecond laser pulses. For measuring the substrate temperature a type-K thermocouple was used together with associated electronics. The thermocouple was ¯xed to the back of substrate with thermal grease for vacuum and connected to the microchip using a feed through in the vacuum chamber. Was detected the increase of the substrate+¯lm starting at 6oC from initial temperature (room) for the minimal laser energy 100 microjoules (25 femtoseconds).