Variação de parâmetros de processo para a obtenção de refratários de SiC ligados a Si3N4

dc.contributor.advisorLuis Antonio Genova
dc.contributor.authorMATOS, DIEGO S.
dc.coverageNacional
dc.date.accessioned2026-06-22T17:53:14Z
dc.date.available2026-06-22T17:53:14Z
dc.date.issued2025
dc.description.abstractOs refratários de carbeto de silício ligado a nitreto de silício (Si3N4-SiC) apresentam propriedades e características únicas, como uma elevada resistência mecânica à fluência e à oxidação, bem como uma elevada tenacidade à fratura, mesmo em altas temperaturas. No processo de produção do Si3N4-SiC, o pó de silício disperso na matriz de carbeto de silício é nitretado, formando uma fase à base de Si3N4 que envolve e coesiona os grãos de SiC, promovendo o desenvolvimento das suas propriedades termomecânicas. Neste estudo, foram avaliados parâmetros de processamento, tais como o tamanho e grau de oxidação das partículas de Si, a adição de fontes de carbono durante a moagem do Si, com vista a reduzir a sua oxidação devido ao recobrimento das mesmas pelas fontes de carbono, alterações das condições de sinterização, de modo a controlar a atmosfera da reação de nitretação, e a aplicação destas modificações de processamento em uma composição industrial. Os corpos compactados foram sinterizados a 1450 ºC, em um forno tubular sob fluxo de nitrogênio, e analisados em termos de densidade e porosidade aparente, variação de massa, fases presentes (DRX), microestrutura e morfologia das fases formadas (MEV), ensaios de análise térmica (ATG) e resistência mecânica (resistência à flexão biaxial). As condições em que o pó de Si foi moído juntamente com pequenas quantidades de uma fonte de carbono (grafeno ou grafite) e aquelas em que os corpos de prova foram envolvidos em pó de grafite durante a sinterização (atmosfera redutora com menor teor de oxigênio residual) promoveram um aumento do ganho de massa (maior nitretação), uma maior densidade e uma menor porosidade aparente, bem como um aumento significativo da resistência mecânica. Além disso, constatou-se que, nas condições em que se obtiveram as melhores médias de resultados, os valores de desvio padrão também foram reduzidos.
dc.description.notasgeraisDissertação (Mestrado em Tecnologia Nuclear)
dc.description.notasteseIPEN/D
dc.description.teseinstituicaoInstituto de Pesquisas Energéticas e Nucleares - IPEN-CNEN/SP
dc.format.extent103
dc.identifier.citationMATOS, DIEGO S. <b>Variação de parâmetros de processo para a obtenção de refratários de SiC ligados a Si3N4</b>. Orientador: Luis Antonio Genova. 2025. 103 f. Dissertação (Mestrado em Tecnologia Nuclear) - Instituto de Pesquisas Energéticas e Nucleares - IPEN-CNEN/SP, São Paulo. DOI: <a href="https://dx.doi.org/10.11606/D.85.2025.tde-16062026-152012">10.11606/D.85.2025.tde-16062026-152012</a>. Disponível em: https://repositorio.ipen.br/handle/123456789/50033.
dc.identifier.doi10.11606/D.85.2025.tde-16062026-152012
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dc.language.isopor
dc.localSão Paulo
dc.rightsopenAccess
dc.titleVariação de parâmetros de processo para a obtenção de refratários de SiC ligados a Si3N4
dc.title.alternativeVariation of process parameters to obtain SiC-bonded silicon nitride refractories
dc.typeDissertação
dspace.entity.typePublication
ipen.autorDIEGO SANTIAGO MATOS
ipen.codigoautor14589
ipen.contributor.ipenauthorDIEGO SANTIAGO MATOS
ipen.identifier.ipendoc32233
ipen.meioeletronicohttps://teses.usp.br/teses/disponiveis/85/85134/tde-16062026-152012/pt-br.html
relation.isAuthorOfPublication524d19a4-dd9b-4e66-a169-ba50a2028bf8
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sigepi.autor.atividadeDIEGO SANTIAGO MATOS:14589:720:S

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