Variação de parâmetros de processo para a obtenção de refratários de SiC ligados a Si3N4
| dc.contributor.advisor | Luis Antonio Genova | |
| dc.contributor.author | MATOS, DIEGO S. | |
| dc.coverage | Nacional | |
| dc.date.accessioned | 2026-06-22T17:53:14Z | |
| dc.date.available | 2026-06-22T17:53:14Z | |
| dc.date.issued | 2025 | |
| dc.description.abstract | Os refratários de carbeto de silício ligado a nitreto de silício (Si3N4-SiC) apresentam propriedades e características únicas, como uma elevada resistência mecânica à fluência e à oxidação, bem como uma elevada tenacidade à fratura, mesmo em altas temperaturas. No processo de produção do Si3N4-SiC, o pó de silício disperso na matriz de carbeto de silício é nitretado, formando uma fase à base de Si3N4 que envolve e coesiona os grãos de SiC, promovendo o desenvolvimento das suas propriedades termomecânicas. Neste estudo, foram avaliados parâmetros de processamento, tais como o tamanho e grau de oxidação das partículas de Si, a adição de fontes de carbono durante a moagem do Si, com vista a reduzir a sua oxidação devido ao recobrimento das mesmas pelas fontes de carbono, alterações das condições de sinterização, de modo a controlar a atmosfera da reação de nitretação, e a aplicação destas modificações de processamento em uma composição industrial. Os corpos compactados foram sinterizados a 1450 ºC, em um forno tubular sob fluxo de nitrogênio, e analisados em termos de densidade e porosidade aparente, variação de massa, fases presentes (DRX), microestrutura e morfologia das fases formadas (MEV), ensaios de análise térmica (ATG) e resistência mecânica (resistência à flexão biaxial). As condições em que o pó de Si foi moído juntamente com pequenas quantidades de uma fonte de carbono (grafeno ou grafite) e aquelas em que os corpos de prova foram envolvidos em pó de grafite durante a sinterização (atmosfera redutora com menor teor de oxigênio residual) promoveram um aumento do ganho de massa (maior nitretação), uma maior densidade e uma menor porosidade aparente, bem como um aumento significativo da resistência mecânica. Além disso, constatou-se que, nas condições em que se obtiveram as melhores médias de resultados, os valores de desvio padrão também foram reduzidos. | |
| dc.description.notasgerais | Dissertação (Mestrado em Tecnologia Nuclear) | |
| dc.description.notastese | IPEN/D | |
| dc.description.teseinstituicao | Instituto de Pesquisas Energéticas e Nucleares - IPEN-CNEN/SP | |
| dc.format.extent | 103 | |
| dc.identifier.citation | MATOS, DIEGO S. <b>Variação de parâmetros de processo para a obtenção de refratários de SiC ligados a Si3N4</b>. Orientador: Luis Antonio Genova. 2025. 103 f. Dissertação (Mestrado em Tecnologia Nuclear) - Instituto de Pesquisas Energéticas e Nucleares - IPEN-CNEN/SP, São Paulo. DOI: <a href="https://dx.doi.org/10.11606/D.85.2025.tde-16062026-152012">10.11606/D.85.2025.tde-16062026-152012</a>. Disponível em: https://repositorio.ipen.br/handle/123456789/50033. | |
| dc.identifier.doi | 10.11606/D.85.2025.tde-16062026-152012 | |
| dc.identifier.uri | https://repositorio.ipen.br/handle/123456789/50033 | |
| dc.language.iso | por | |
| dc.local | São Paulo | |
| dc.rights | openAccess | |
| dc.title | Variação de parâmetros de processo para a obtenção de refratários de SiC ligados a Si3N4 | |
| dc.title.alternative | Variation of process parameters to obtain SiC-bonded silicon nitride refractories | |
| dc.type | Dissertação | |
| dspace.entity.type | Publication | |
| ipen.autor | DIEGO SANTIAGO MATOS | |
| ipen.codigoautor | 14589 | |
| ipen.contributor.ipenauthor | DIEGO SANTIAGO MATOS | |
| ipen.identifier.ipendoc | 32233 | |
| ipen.meioeletronico | https://teses.usp.br/teses/disponiveis/85/85134/tde-16062026-152012/pt-br.html | |
| relation.isAuthorOfPublication | 524d19a4-dd9b-4e66-a169-ba50a2028bf8 | |
| relation.isAuthorOfPublication.latestForDiscovery | 524d19a4-dd9b-4e66-a169-ba50a2028bf8 | |
| sigepi.autor.atividade | DIEGO SANTIAGO MATOS:14589:720:S |
Licença do Pacote
1 - 1 de 1
Carregando...
- Nome:
- license.txt
- Tamanho:
- 1.71 KB
- Formato:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Descrição: