Dosimetria de processos de irradiacao gama com diodos comerciais de silicio

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dc.contributor.advisorCarmen Cecilia Buenopt_BR
dc.contributor.authorFERREIRA, DANILO C.pt_BR
dc.coverageNacionalpt_BR
dc.date.accessioned2014-10-09T12:26:55Zpt_BR
dc.date.accessioned2014-10-09T14:06:20Z
dc.date.available2014-10-09T12:26:55Zpt_BR
dc.date.available2014-10-09T14:06:20Z
dc.date.issued2009pt_BR
dc.description.abstractEste trabalho contempla o desenvolvimento de dosímetros baseados em diodos de Si para a dosimetria de radiação gama para doses desde 1 Gy até 100 Gy. Este intervalo de dose é freqüentemente utilizada em processos de irradiação de cristais, polímeros conjugados e também em vários estudos biológicos conduzidos no Centro de Tecnologia das Radiações (CTR) do IPEN-CNEN/SP. O dosímetro proposto foi construído a partir do diodo cormecial de Si SFH00206 (Siemens), operando em regime fotovoltaico, cujas características elétricas são adequadas para esta aplicação. As correntes geradas no dispositivo pela radiação gama do 60Co dos irradiadores tipo I e II foram registrada por um eletrômetro digital e armazenadas durante todo o tempo de exposição. Em todas as medidas realizadas verificou-se que os sinais de corrente registrados em função do tempo de exposição eram estáveis. Além disso, a fotocorrente do dispositivo mostrou-se linearmente dependente com a taxa de dose desde 6.1x10-2 Gy/min até 1.9x102 Gy/min. As curvas de calibração dos dosímetros, em termos da carga média registrada em função da dose absorvida, foram obtidas pela integração dos sinais de corrente em função do tempo de exposição. Os resultados evidenciaram uma resposta linear do dosímetro, com um coeficiente de correlação melhor que 0,998 para uma dose total absorvida de até 120 Gy. Finalmente, devido aos pequenos erros experimentais, 5% foi possível medir a dose de trânsito devida ao movimento das fontes radioativas de Cobalto-60 nos irradiadores utilizados neste trabalho.pt_BR
dc.description.notasgeraisDissertacao (Mestrado)pt_BR
dc.description.notasteseIPEN/Dpt_BR
dc.description.teseinstituicaoInstituto de Pesquisas Energeticas e Nucleares - IPEN-CNEN/SPpt_BR
dc.format.extent113pt_BR
dc.identifier.citationFERREIRA, DANILO C. <b>Dosimetria de processos de irradiacao gama com diodos comerciais de silicio</b>. Orientador: Carmen Cecilia Bueno Tobias. 2009. 113 f. Dissertacao (Mestrado) - Instituto de Pesquisas Energeticas e Nucleares - IPEN-CNEN/SP, Sao Paulo. DOI: <a href="https://dx.doi.org/10.11606/D.85.2009.tde-05112009-101845">10.11606/D.85.2009.tde-05112009-101845</a>. Disponível em: http://repositorio.ipen.br/handle/123456789/9451.
dc.identifier.doi10.11606/D.85.2009.tde-05112009-101845
dc.identifier.urihttp://repositorio.ipen.br/handle/123456789/9451pt_BR
dc.localSao Paulopt_BR
dc.rightsopenAccesspt_BR
dc.subjectgamma dosimetrypt_BR
dc.subjectcobalt 60pt_BR
dc.subjectsilicon diodespt_BR
dc.subjectelectrometerspt_BR
dc.subjectphotocurrentspt_BR
dc.subjectdose ratespt_BR
dc.subjectdose-response relationshipspt_BR
dc.titleDosimetria de processos de irradiacao gama com diodos comerciais de siliciopt_BR
dc.title.alternativeGamma radiation processing dosimetry with commercial silicon diodespt_BR
dc.typeDissertaçãopt_BR
dspace.entity.typePublication
ipen.autorDANILO CARDENUTO FERREIRA
ipen.codigoautor3877
ipen.contributor.ipenauthorDANILO CARDENUTO FERREIRA
ipen.date.recebimento09-10pt_BR
ipen.identifier.ipendoc14106pt_BR
ipen.identifier.localizacaoT539.12.08 / F383dpt_BR
ipen.meioeletronicohttp://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/85/85131/tde-05112009-101845/pt_BR
ipen.type.genreDissertação
relation.isAuthorOfPublicationf252c3ae-d9c0-4477-848c-208c89c1ad8a
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sigepi.autor.atividadeFERREIRA, DANILO C.:3877:240:Spt_BR
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