Gamma-radiation Dosimetry with magnetic czochralski silicon diode
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2007
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NUCLEAR SCIENCE SYMPOSIUM/MEDICAL IMAGING CONFERENCE
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Resumo
This work presents the preliminary results obtained
with a rad-hard MCz silicon diode as a high-dose gamma
dosimeter. This device is a p+
/n/n+
junction diode, made on MCz
Si wafer manufactured by Okmetic Oyj., Vantaa, Finland and
processed by the Microelectronics Center of Helsink University
of Technology. The results obtained about the photocurrent
registered and total charge accumulated on the diode as a
function of the dose are presented. The dosimetric response of the
device has shown a good linearity within the dose range of
500 Gy to 6 kGy.
Como referenciar
CAMARGO, F.; GONCALVES, J.A.C.; KHOURY, H.J.; TUOMINEN, E.; HARKONEN, J.; BUENO, C.C. Gamma-radiation Dosimetry with magnetic czochralski silicon diode. In: NUCLEAR SCIENCE SYMPOSIUM/MEDICAL IMAGING CONFERENCE, October 26 - November 3, 2007, Honolulu, HI. Proceedings... p. 696-698. DOI: 10.1109/NSSMIC.2007.4436428. Disponível em: http://repositorio.ipen.br/handle/123456789/16056. Acesso em: 30 Dec 2025.
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