Dopagem de silicio monocristalino pela transmutacao com neutrons

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dc.contributor.advisorRajendra Narain Saxenapt_BR
dc.contributor.authorSEBASTIAO, JOSE R.pt_BR
dc.coverageNacionalpt_BR
dc.date.accessioned2014-10-09T12:37:20Zpt_BR
dc.date.accessioned2014-10-09T14:09:17Z
dc.date.available2014-10-09T12:37:20Zpt_BR
dc.date.available2014-10-09T14:09:17Z
dc.date.issued1992pt_BR
dc.description.notasgeraisDissertacao (Mestrado)pt_BR
dc.description.notasteseIPEN/Dpt_BR
dc.description.teseinstituicaoInstituto de Pesquisas Energeticas e Nucleares - IPEN/CNEN-SPpt_BR
dc.format.extent76pt_BR
dc.identifier.citationSEBASTIAO, JOSE R. <b>Dopagem de silicio monocristalino pela transmutacao com neutrons</b>. Orientador: Rajendra Narain Saxena. 1992. 76 f. Dissertacao (Mestrado) - Instituto de Pesquisas Energeticas e Nucleares - IPEN/CNEN-SP, São Paulo. Disponível em: http://repositorio.ipen.br/handle/123456789/10324.
dc.identifier.urihttp://repositorio.ipen.br/handle/123456789/10324pt_BR
dc.localSão Paulopt_BR
dc.rightsopenAccesspt_BR
dc.subjectsiliconpt_BR
dc.subjecttransmutationpt_BR
dc.subjectphosphoruspt_BR
dc.subjectthermal neutronspt_BR
dc.subjectcapturept_BR
dc.titleDopagem de silicio monocristalino pela transmutacao com neutronspt_BR
dc.typeDissertaçãopt_BR
dspace.entity.typePublication
ipen.autorJOSE RICARDO SEBASTIAO
ipen.codigoautor12428
ipen.contributor.ipenauthorJOSE RICARDO SEBASTIAO
ipen.date.recebimento93-10pt_BR
ipen.identifier.ipendoc02040pt_BR
ipen.identifier.localizacaoT669.782 / S443dpt_BR
ipen.type.genreDissertação
relation.isAuthorOfPublication77216ef1-7700-4627-8c06-e6f57b2b6023
relation.isAuthorOfPublication.latestForDiscovery77216ef1-7700-4627-8c06-e6f57b2b6023
sigepi.autor.atividadeSEBASTIAO, JOSE R.:12428:-1:Spt_BR

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