Silicato de lantânio tipo apatita obtido por método sol-gel modificado a partir da reação de catálise básica de silicato de sódio
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2016
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CONGRESSO BRASILEIRO DE ENGENHARIA E CIENCIA DOS MATERIAIS, 22.
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Resumo
A descoberta da condutividade de iônica, na estrutura oxiapatita de silicatos de terras raras, despertou inúmeros estudos, tanto de mecanismo da condutividade, como de síntese destes compostos. Destaca-se como interesse tecnológico, o uso destes materiais como eletrólito em SOFC (solid oxide fuel cell). Dentre os silicatos de terras raras, o silicato de lantânio mostra-se como um material promissor a ser utilizado como eletrólito por apresentar condutividade iônica superior a do eletrólito atualmente utilizado, YSZ (Ytria Stabilized Zirconia), em temperaturas da ordem de 600°C. O método da mistura de pós é geralmente utilizado na síntese de silicato de lantânio. Este processo requer altas temperaturas, além de favorecer o aparecimento de compostos secundários indesejáveis que diminuem consideravelmente a condutividade iônica do material. Neste trabalho, o silicato de lantânio foi sintetizado por um método sol-gel modificado a partir de reação de catálise básica, utilizando Na2SiO3 como fonte de sílica. A relevância do método proposto é o uso de Na2SiO3 e a reação de catálise básica, ao invés de TEOS e catálise ácida, respectivamente, como geralmente é praticado. Os pós obtidos foram caracterizados por DRX, microscopia eletrônica de varredura (MEV) e medidas de área de superfície específica. A fase cristalina apatita do silicato de lantânio foi obtida por calcinação dos precursores a 900° C. Esta temperatura é muito menor do que as de outros métodos convencionais de síntese.
Como referenciar
SILVA, F.S.; MORAIS, V.R.; MISSO, A.M.; YAMAGATA, C. Silicato de lantânio tipo apatita obtido por método sol-gel modificado a partir da reação de catálise básica de silicato de sódio. In: CONGRESSO BRASILEIRO DE ENGENHARIA E CIENCIA DOS MATERIAIS, 22., 06-10 de novembro, 2016, Natal, RN. Resumo... p. 374. Disponível em: http://repositorio.ipen.br/handle/123456789/27261. Acesso em: 30 Dec 2025.
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