Caracterização de filmes de TiO2, N:TiO2 e TiO2/N:TiO2 obtidos por deposição química de organometálicos em fase vapor

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dc.contributor.advisorMarina Fuser Pillispt_BR
dc.contributor.authorSOUZA FILHO, EDVAN A. de
dc.coverageNacionalpt_BR
dc.date.accessioned2019-01-31T14:27:33Z
dc.date.available2019-01-31T14:27:33Z
dc.date.issued2017pt_BR
dc.description.abstractFilmes finos de TiO2 e N:TiO2, e multicamadas TiO2/N:TiO2 foram crescidos sobre substratos de aço AISI 316 e Si(100), por meio da técnica de deposição química de organometálicos em fase vapor (MOCVD). Foram produzidos filmes com diferentes espessuras, nas temperaturas de 400 e 500°C. Os filmes foram caracterizados utilizando-se técnicas de difração de raios X (DRX), espectroscopia de fotoelétrons excitados por raios x (XPS) e microscopia eletrônica de varredura (MEV). A resistência à corrosão foi avaliada por meio de testes de polarização potenciodinâmica em eletrólito 3,5%p NaCl. Filmes não dopados, crescidos a 400°C, apresentaram TiO2 anatase, enquanto que os crescidos a 500°C apresentaram a fase rutilo, além de anatase. Nos filmes dopados com nitrogênio (7,29 e 8,29 at% a 400 e 500°C, respectivamente), em ambas as temperaturas, houve a formação de TiO2 anatase, bem como de fases contendo nitrogênio. Os filmes de TiO2 crescidos a 400°C ofereceram melhor proteção contra a corrosão que os crescidos a 500°C. Filmes crescidos a 500°C apresentaram estrutura colunar, que representa alto nível de porosidade, enquanto que os filmes crescidos a 400°C apresentaram estrutura mais densa. A dopagem não foi eficiente para proteger o substrato contra corrosão, provavelmente devido à formação das fases contendo nitrogênio. Os resultados para os testes com filmes compostos por multicamadas sugerem que aqueles com mais interfaces apresentam melhor resistência à corrosão. O processo de corrosão das amostras se inicia na superfície do filme, que está em contato com o meio agressivo, originando pites, que permitem ao meio corrosivo acessar o substrato metálico. O metal é atacado e dissolvido sob o filme, e resulta na delaminação do filme.pt_BR
dc.description.notasgeraisDissertação (Mestrado em Tecnologia Nuclear)pt_BR
dc.description.notasteseIPEN/Dpt_BR
dc.description.teseinstituicaoInstituto de Pesquisas Energéticas e Nucleares - IPEN-CNEN/SPpt_BR
dc.format.extent87pt_BR
dc.identifier.citationSOUZA FILHO, EDVAN A. de. <b>Caracterização de filmes de TiO2, N:TiO2 e TiO2/N:TiO2 obtidos por deposição química de organometálicos em fase vapor</b>. Orientador: Marina Fuser Pillis. 2017. 87 f. Dissertação (Mestrado em Tecnologia Nuclear) - Instituto de Pesquisas Energéticas e Nucleares - IPEN-CNEN/SP, São Paulo. DOI: <a href="https://dx.doi.org/10.11606/D.85.2018.tde-15062018-105555">10.11606/D.85.2018.tde-15062018-105555</a>. Disponível em: http://repositorio.ipen.br/handle/123456789/29420.
dc.identifier.doi10.11606/D.85.2018.tde-15062018-105555pt_BR
dc.identifier.urihttp://repositorio.ipen.br/handle/123456789/29420
dc.localSão Paulopt_BR
dc.rightsopenAccesspt_BR
dc.subjecttitanium oxides
dc.subjectfilms
dc.subjectthin films
dc.subjectdoped materials
dc.subjectchemical vapor deposition
dc.subjectsite characterization
dc.titleCaracterização de filmes de TiO2, N:TiO2 e TiO2/N:TiO2 obtidos por deposição química de organometálicos em fase vaporpt_BR
dc.title.alternativeCharacterization of TiO2, N:TiO2 and TiO2/N:TiO2 films obtained by metallorganic chemical vapor depositionpt_BR
dc.typeDissertaçãopt_BR
dspace.entity.typePublication
ipen.autorEDVAN ALMEIDA DE SOUZA FILHO
ipen.codigoautor11586
ipen.contributor.ipenauthorEDVAN ALMEIDA DE SOUZA FILHO
ipen.date.recebimento19-01pt_BR
ipen.identifier.ipendoc25219pt_BR
ipen.meioeletronicohttp://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/85/85134/tde-15062018-105555/pt-br.phppt_BR
ipen.type.genreDissertação
relation.isAuthorOfPublication6be68cd5-9b08-4c82-bc35-302a92f5f599
relation.isAuthorOfPublication.latestForDiscovery6be68cd5-9b08-4c82-bc35-302a92f5f599
sigepi.autor.atividadeSOUZA FILHO, EDVAN A. DE:11586:730:Spt_BR
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