Implantação de um laser de altíssima intensidade como uma infraestrutura científica multiusuário no Brasil

dc.contributor.authorVIEIRA JUNIOR, NILSON D.
dc.contributor.authorSAMAD, RICARDO E.
dc.coverageNacional
dc.date.accessioned2026-01-08T13:13:12Z
dc.date.available2026-01-08T13:13:12Z
dc.date.issued2024
dc.description.abstractFoi aprovado pela FINEP um projeto para a implantação de um sistema laser de intensidade relativística, destinado a servir como infraestrutura de pesquisa multiusuário. O laser será instalado no IPEN e deverá entrar em operação em 2026. O laser, com potência de pico de 15 TW, gerará pulsos de 35 fs e 500 mJ em 800 nm, a 10 Hz. Este sistema funcionará, inicialmente, como um acelerador compacto de elétrons e prótons. Também poderá criar condições extremas semelhantes às encontradas no interior das estrelas e possibilitará a microfusão nuclear, abrindo novos horizontes no campo da fotônica nuclear. Essas características ampliarão o espectro de radiação eletromagnética disponível à comunidade científica brasileira.
dc.format.extent20-27
dc.identifier.citationVIEIRA JUNIOR, NILSON D.; SAMAD, RICARDO E. Implantação de um laser de altíssima intensidade como uma infraestrutura científica multiusuário no Brasil. <b>Revista da SBFoton</b>, v. 5, p. 20-27, 2024. DOI: <a href="https://dx.doi.org/10.5281/zenodo.14659180">10.5281/zenodo.14659180</a>. Disponível em: https://repositorio.ipen.br/handle/123456789/49032.
dc.identifier.doi10.5281/zenodo.14659180
dc.identifier.issn2966-0726
dc.identifier.orcidhttps://orcid.org/0000-0003-0092-9357
dc.identifier.orcidhttps://orcid.org/0000-0001-7762-8961
dc.identifier.percentilfiSem Percentil F.I.
dc.identifier.percentilfiCiteScoreSem Percentil CiteScore
dc.identifier.urihttps://repositorio.ipen.br/handle/123456789/49032
dc.identifier.vol5
dc.language.isopor
dc.relation.ispartofRevista da SBFoton
dc.rightsopenAccess
dc.titleImplantação de um laser de altíssima intensidade como uma infraestrutura científica multiusuário no Brasil
dc.typeArtigo de periódico
dspace.entity.typePublication
ipen.autorNILSON DIAS VIEIRA JUNIOR
ipen.autorRICARDO ELGUL SAMAD
ipen.codigoautor1582
ipen.codigoautor909
ipen.contributor.ipenauthorNILSON DIAS VIEIRA JUNIOR
ipen.contributor.ipenauthorRICARDO ELGUL SAMAD
ipen.identifier.fiSem F.I.
ipen.identifier.fiCiteScoreSem CiteScore
ipen.identifier.ipendoc31139
ipen.type.genreArtigo
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sigepi.autor.atividadeNILSON DIAS VIEIRA JUNIOR:1582:930:S
sigepi.autor.atividadeRICARDO ELGUL SAMAD:909:930:N

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