Do palladium-dopant pairs exist in silicon?

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dc.contributor.authorDOGRA, R.pt_BR
dc.contributor.authorBRETT, D.A.pt_BR
dc.contributor.authorBYRNE, A.P.pt_BR
dc.contributor.authorMESTNIK FILHO, J.pt_BR
dc.contributor.authorLI, Y.pt_BR
dc.contributor.authorRIDGWAY, M.C.pt_BR
dc.coverageInternacionalpt_BR
dc.date.accessioned2014-07-31T11:33:46Zpt_BR
dc.date.accessioned2014-07-31T11:53:34Z
dc.date.available2014-07-31T11:33:46Zpt_BR
dc.date.available2014-07-31T11:53:34Z
dc.date.issued2006pt_BR
dc.format.extentp. 245-248pt_BR
dc.identifier.citationDOGRA, R.; BRETT, D.A.; BYRNE, A.P.; MESTNIK FILHO, J.; LI, Y.; RIDGWAY, M.C. Do palladium-dopant pairs exist in silicon?. <b>Physica B, Condensed Matter</b>, v. 376-377, p. p. 245-248, 2006. Disponível em: http://repositorio.ipen.br/handle/123456789/7745.
dc.identifier.issn0921-4526pt_BR
dc.identifier.urihttp://repositorio.ipen.br/handle/123456789/7745pt_BR
dc.identifier.vol376-377pt_BR
dc.relation.ispartofPhysica B, Condensed Matterpt_BR
dc.rightsopenAccessen
dc.subjectcoulomb fieldpt_BR
dc.subjectdoped materialspt_BR
dc.subjectimpuritiespt_BR
dc.subjectn-type conductorspt_BR
dc.subjectpalladium 100pt_BR
dc.subjectpalladiumpt_BR
dc.subjectperturbed angular correlationpt_BR
dc.subjectpoint defectspt_BR
dc.subjectprobabilitypt_BR
dc.subjectsiliconpt_BR
dc.subjectspectroscopypt_BR
dc.subjectstabilitypt_BR
dc.titleDo palladium-dopant pairs exist in silicon?pt_BR
dc.typeArtigo de periódicopt_BR
dspace.entity.typePublication
ipen.autorJOSE MESTNIK FILHO
ipen.codigoautor1284
ipen.contributor.ipenauthorJOSE MESTNIK FILHO
ipen.date.recebimento07-08pt_BR
ipen.identifier.fi0.872pt_BR
ipen.identifier.ipendoc11751pt_BR
ipen.identifier.iwosWoSpt_BR
ipen.range.fi0.001 - 1.499
ipen.type.genreArtigo
relation.isAuthorOfPublication2b2ff4a6-469a-462f-b6dd-1f692f94ebc8
relation.isAuthorOfPublication.latestForDiscovery2b2ff4a6-469a-462f-b6dd-1f692f94ebc8
sigepi.autor.atividadeMESTNIK FILHO, J.:1284:6:Npt_BR

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