Caracterização das propriedades dosimétricas de diodos de silício empregados em radioterapia com feixe de fótons
| dc.contributor.advisor | Carmen Cecilia Bueno | pt_BR |
| dc.contributor.author | BIZETTO, CESAR A. | pt_BR |
| dc.coverage | Nacional | pt_BR |
| dc.date.accessioned | 2014-10-09T12:41:26Z | pt_BR |
| dc.date.accessioned | 2014-10-09T14:03:26Z | |
| dc.date.available | 2014-10-09T12:41:26Z | pt_BR |
| dc.date.available | 2014-10-09T14:03:26Z | |
| dc.date.issued | 2013 | pt_BR |
| dc.description.abstract | No presente trabalho foi estudada a resposta de diodos epitaxiais (EPI) e fusão zonal (FZ) como dosímetros on-line em tratamentos radioterápicos com feixe de fótons na faixa de megavoltagem (diodo tipo EPI)e ortovoltagem (diodos tipo EPI e FZ). Para serem usados como dosímetros os diodos foram encapsulados em sondas de polimetilmetacrilato preto (PMMA). Para as medidas da fotocorrente os dispositivos foram conectados a um eletrômetro Keithley® 6517B no modo fotovoltaico. As irradiações foram feitas com feixes de fótons de 6 e 18 MV (acelerador Siemens Primus®),6 e 15 MV (acelerador Novalis TX®) e 10, 25, 30 e 50 kV de um equipamento de Radiação X Pantak/Seifert. Nas medidas com o acelerador Siemens Primus® os diodos foram posicionados entre placas de PMMA a uma profundidade de 10,0 cm e com o acelerador Novalis TX® mantidos entre placas de água sólida a uma profundidade de 5cm. Em ambos os casos, os diodos foram centralizados em campos de radiação de 10 × 10 cm2, com distância fonte superfície (DFS) mantida fixa em 100 cm. Para as medidas com os feixes de fótons deortovoltagem os diodos foram posicionados a 50 cm do tubo em um campo de radiação circular de 8 cm de diâmetro. A linearidade com a taxa de dose foi avaliada para as energias de 6 e 15MV do acelerador Novalis TX® variando-se a taxa de dose de 100 a 600 unidades monitoras por minuto e para o feixe de 50 kV variando-se a corrente do tubo de 2 a 20 mA. Todos os dispositivos apresentaram respostas lineares com a taxa de dose e dentro das incertezas, independência da carga com a mesma. Os sinais de corrente mostraram boa repetibilidade, caracterizada por coeficientes de variação em corrente (CV) inferiores a 1,14%(megavoltagem) e 0,15%(ortovoltagem) e em carga menores que 1,84% (megavoltagem) e 1,67% (ortovoltagem). Foram obtidas curvas dose-resposta lineares com coeficientes de correlação linear melhores que 0,9999 para todos os diodos. | pt_BR |
| dc.description.notasgerais | Dissertação (Mestrado) | pt_BR |
| dc.description.notastese | IPEN/D | pt_BR |
| dc.description.teseinstituicao | Instituto de Pesquisas Energeticas e Nucleares - IPEN-CNEN/SP | pt_BR |
| dc.format.extent | 77 | pt_BR |
| dc.identifier.citation | BIZETTO, CESAR A. <b>Caracterização das propriedades dosimétricas de diodos de silício empregados em radioterapia com feixe de fótons</b>. Orientador: Carmen Cecilia Bueno. 2013. 77 f. Dissertação (Mestrado) - Instituto de Pesquisas Energeticas e Nucleares - IPEN-CNEN/SP, São Paulo. DOI: <a href="https://dx.doi.org/10.11606/D.85.2013.tde-08082013-164400">10.11606/D.85.2013.tde-08082013-164400</a>. Disponível em: http://repositorio.ipen.br/handle/123456789/10520. | |
| dc.identifier.doi | 10.11606/D.85.2013.tde-08082013-164400 | |
| dc.identifier.uri | http://repositorio.ipen.br/handle/123456789/10520 | pt_BR |
| dc.local | São Paulo | pt_BR |
| dc.rights | openAccess | pt_BR |
| dc.subject | radiotherapy | pt_BR |
| dc.subject | photon beams | pt_BR |
| dc.subject | epitaxy | pt_BR |
| dc.subject | silicon diodes | pt_BR |
| dc.subject | dosimetry | pt_BR |
| dc.subject | on-line measurement systems | pt_BR |
| dc.title | Caracterização das propriedades dosimétricas de diodos de silício empregados em radioterapia com feixe de fótons | pt_BR |
| dc.title.alternative | Dosimetric properties characterization of silicon diodes used in photon beam radiotherapy | pt_BR |
| dc.type | Dissertação | pt_BR |
| dspace.entity.type | Publication | |
| ipen.autor | CÉSAR AUGUSTO BIZETTO | |
| ipen.codigoautor | 9763 | |
| ipen.contributor.ipenauthor | CÉSAR AUGUSTO BIZETTO | |
| ipen.date.recebimento | 13-08 | pt_BR |
| ipen.identifier.ipendoc | 19091 | pt_BR |
| ipen.identifier.localizacao | T615.849 / B625c | pt_BR |
| ipen.meioeletronico | http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/85/85131/tde-08082013-164400/pt-br.php | pt_BR |
| ipen.type.genre | Dissertação | |
| relation.isAuthorOfPublication | 557e8b8a-267f-4aec-afba-396a8ab59118 | |
| relation.isAuthorOfPublication.latestForDiscovery | 557e8b8a-267f-4aec-afba-396a8ab59118 | |
| sigepi.autor.atividade | BIZETTO, CESAR A.:9763:240:S | pt_BR |