Trace impurities analysis determined by neutron activation in the PbIsub(2) crystal semiconductor

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2003

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Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
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HAMADA, M.M.; OLIVEIRA, I.B.; ARMELIN, M.J.; MESQUITA, C.H. Trace impurities analysis determined by neutron activation in the PbIsub(2) crystal semiconductor. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, v. 505, n. 1/2, p. 517-520, 2003. Section A. Disponível em: http://repositorio.ipen.br/handle/123456789/5821. Acesso em: 20 Mar 2026.
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Agência de fomento

Assuntos
semiconductor materials; lead iodides; crystals; crystal growth; bridgman method; purification; zone refining; impurities; trace amounts; neutron activation analysis; semiconductor detectors; radiation detectors

URI

http://repositorio.ipen.br/handle/123456789/5821

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