Purificação por refinamento zonal para preparação dos detectores semicondutores de PbI2 e TlBr

dc.contributor.authorOLIVEIRA, I.B.pt_BR
dc.contributor.authorARMELIN, M.J.A.pt_BR
dc.contributor.authorHAMADA, M.M.pt_BR
dc.coverageNacionalpt_BR
dc.date.accessioned2014-07-30T17:21:27Zpt_BR
dc.date.accessioned2014-07-30T19:01:13Z
dc.date.available2014-07-30T17:21:27Zpt_BR
dc.date.available2014-07-30T19:01:13Z
dc.date.issued2002pt_BR
dc.description.abstractOs cristais de iodeto de chumbo (PbI2) e brometo de tálio (TlBr) são semicondutores compostos de elementos com alto número atômico e energias de banda proibida larga. Eles vêm sendo pesquisados como detectores de radiação X e gama, tendo alta resolução energética, operando à temperatura ambiente. O desempenho desses detectores de radiação é fortemente dependente da pureza do cristal. Este trabalho descreve uma metodologia para purificação dos sais de PbI2 e TlBr utilizando a técnica de refinamento zonal. A eficiência da purificação dos materiais pelo método de refinamento zonal foi avaliada pela análise de ativação neutrônica, após diferentes números de passos de purificação. Uma diminuição significante da concentração de impurezas foi observada em função do número de passos de purificação.
dc.format.extent1252-1257pt_BR
dc.identifier.citationOLIVEIRA, I.B.; ARMELIN, M.J.A.; HAMADA, M.M. Purificação por refinamento zonal para preparação dos detectores semicondutores de PbI2 e TlBr. <b>Revista Brasileira de Pesquisa e Desenvolvimento</b>, v. 4, n. 3, p. 1252-1257, 2002. Parte 2Parte 2. Disponível em: http://repositorio.ipen.br/handle/123456789/5952.
dc.identifier.fasciculo3pt_BR
dc.identifier.issn0104-7698pt_BR
dc.identifier.suplementoParte 2Parte 2pt_BR
dc.identifier.urihttp://repositorio.ipen.br/handle/123456789/5952pt_BR
dc.identifier.vol4pt_BR
dc.relation.ispartofRevista Brasileira de Pesquisa e Desenvolvimentopt_BR
dc.rightsopenAccessen
dc.sourceApresentado tembem em: INTERNATIONAL NUCLEAR ATLANTIC CONFERENCE; NATIONAL MEETING ON NUCLEAR APPLICATIONS, 6th, Aug. 11-16, 2002, Rio de Janeiro, RJpt_BR
dc.subjectcrystalspt_BR
dc.subjectlead iodidespt_BR
dc.subjectthallium bromidespt_BR
dc.subjectzone refiningpt_BR
dc.subjectpurificationpt_BR
dc.subjectsemiconductor detectorspt_BR
dc.subjectradiation detectorspt_BR
dc.titlePurificação por refinamento zonal para preparação dos detectores semicondutores de PbI2 e TlBrpt_BR
dc.typeArtigo de periódicopt_BR
dspace.entity.typePublication
ipen.autorMARGARIDA MIZUE HAMADA
ipen.autorMARIA JOSE AGUIRRE ARMELIN
ipen.autorICIMONE BRAGA DE OLIVEIRA
ipen.codigoautor1476
ipen.codigoautor1373
ipen.codigoautor2501
ipen.contributor.ipenauthorMARGARIDA MIZUE HAMADA
ipen.contributor.ipenauthorMARIA JOSE AGUIRRE ARMELIN
ipen.contributor.ipenauthorICIMONE BRAGA DE OLIVEIRA
ipen.date.recebimento03-11pt_BR
ipen.identifier.fiSem F.I.pt_BR
ipen.identifier.ipendoc09399pt_BR
ipen.type.genreArtigo
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relation.isAuthorOfPublication.latestForDiscoverya745f169-6162-48be-b5e0-e5dd13410e94
sigepi.autor.atividadeOLIVEIRA, I.B.:2501:-1:Spt_BR
sigepi.autor.atividadeARMELIN, M.J.A.:1373:7:Npt_BR
sigepi.autor.atividadeHAMADA, M.M.:1476:5:Npt_BR

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