Radiation damage study on the electrical properties of Si diodes

Carregando...
Imagem de Miniatura
Data
Data de publicação:
2010
Orientador
Título da Revista
ISSN da Revista
Título do Volume
É parte de
É parte de
É parte de
É parte de
BRAZILIAN WORKSHOP ON NUCLEAR PHYSICS, 33rd
Exportar
Mendeley
Projetos de Pesquisa
Unidades Organizacionais
Fascículo

Como referenciar
PASCOALINO, KELLY C.S.; GONCALVES, JOSEMARY A.C.; TOBIAS, CARMEN C.B. Radiation damage study on the electrical properties of Si diodes. In: VANIN, VITO R. (ed.). In: BRAZILIAN WORKSHOP ON NUCLEAR PHYSICS, 33rd, September 7-11, 2010, Campos do Jordão, SP. Proceedings... p. 345-348. Disponível em: http://repositorio.ipen.br/handle/123456789/17879. Acesso em: 13 Jul 2024.
Esta referência é gerada automaticamente de acordo com as normas do estilo IPEN/SP (ABNT NBR 6023) e recomenda-se uma verificação final e ajustes caso necessário.

Agência de fomento
Coleções