Pd-vacancy complex in Si identified with the perturbed angular correlation technique
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BRETT, D.A.; DOGRA, R.; BYRNE, A.P.; MESTNIK FILHO, J.; RIDGWAY, M.C. Pd-vacancy complex in Si identified with the perturbed angular correlation technique. Physical Review, B, v. 72, p. 193202-1 193202-4, 2005. Disponível em: http://repositorio.ipen.br/handle/123456789/7649. Acesso em: 27 Mar 2026.
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