Morphological characterization of N-doped TiO2 thin films
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2017
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PAN AMERICAN CONGRESS OF NANOTECHNOLOGY, 1st; FUNDAMENTALS AND APPLICATIONS TO SHAPE THE FUTURE
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Resumo
Metallorganic chemical vapor deposition was used to grown TiO2 and N-doped TiO2 on borosilicate substrates at 400°C. Titanium isopropoxide IV was used as titanium and oxygen precursors and ammonia as nitrogen source. Analyses by atomic force microscopy showed that both films presented rounded well-defined grains. The results showed that nitrogen doping resulted in a decrease in the mean grain size and in the surface roughness.
Como referenciar
OLIVEIRA, EDUARDO C. de; SZURKALO, MARGARIDA; CORREA, OLANDIR V.; BENTO, RODRIGO T.; PILLIS, MARINA F. Morphological characterization of N-doped TiO2 thin films. In: PAN AMERICAN CONGRESS OF NANOTECHNOLOGY, 1st; FUNDAMENTALS AND APPLICATIONS TO SHAPE THE FUTURE, November 27-30, 2017, Guarujá, SP. Proceedings... Disponível em: http://repositorio.ipen.br/handle/123456789/29202. Acesso em: 12 Mar 2025.
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