Estudo da influência de impurezas e da qualidade das superfícies em cristais de brometo de tálio para aplicação como um detector de radiação

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dc.contributor.advisorMargarida Mizue Hamadapt_BR
dc.contributor.authorSANTOS, ROBINSON A. dos
dc.coverageNacionalpt_BR
dc.date.accessioned2016-11-11T13:09:25Z
dc.date.available2016-11-11T13:09:25Z
dc.date.issued2016pt_BR
dc.description.abstractNeste trabalho, cristais de TlBr foram crescidos e purificados pelo método de Bridgman Repetido, a partir de sais comerciais de TlBr, e caracterizados para serem usados como detectores de radiação à temperatura ambiente. Para avaliar a eficiência de purificação, estudos da diminuição da concentração de impurezas foram feitos após cada crescimento, analisando as impurezas traço por Espectrometria de Massas com Plasma (ICP-MS). Um decréscimo significativo da concentração de impurezas em função do número de purificações foi observado. Os cristais crescidos apresentaram boa qualidade cristalina de acordo com os resultados de análise por Difração de Raios X (DRX), boa qualidade morfológica e estequiometria adequada de acordo com os resultados de análise por MEV(SE) e MEV(EDS). Um modelo matemático definido por equações diferenciais foi desenvolvido para avaliar as concentrações de impurezas no cristal de TlBr e suas segregações em função do número de crescimentos pelo método de Bridgman. Este modelo pode ser usado para calcular o coeficiente de migração das impurezas e mostrou ser útil para prever o número necessário de repetições de crescimento Bridgman para atingir nível de pureza adequado para assegurar a qualidade do cristal como detector de radiação. Os coeficientes se segregação obtidos são parâmetros importantes para análise microestrutural e análise de transporte de cargas nos cristais detectores. Para avaliar os cristais a serem usados como detectores de radiação, medidas de suas resistividades e resposta à incidência de radiação gama das fontes de 241Am (59,5keV) e 133Ba (81 keV) foram realizadas. Essa resposta foi dependente da pureza do cristal. Os detectores apresentaram um avanço significativo na eficiência de coleta de cargas em função da pureza.pt_BR
dc.description.notasgeraisTese (Doutorado em Tecnologia Nuclear)pt_BR
dc.description.notasteseIPEN/Tpt_BR
dc.description.teseinstituicaoInstituto de Pesquisas Energeticas e Nucleares - IPEN-CNEN/SPpt_BR
dc.format.extent97pt_BR
dc.identifier.citationSANTOS, ROBINSON A. dos. <b>Estudo da influência de impurezas e da qualidade das superfícies em cristais de brometo de tálio para aplicação como um detector de radiação</b>. Orientador: Margarida Mizue Hamada. 2016. 97 f. Tese (Doutorado em Tecnologia Nuclear) - Instituto de Pesquisas Energeticas e Nucleares - IPEN-CNEN/SP, São Paulo. DOI: <a href="https://dx.doi.org/10.11606/T.85.2016.tde-29072016-143254">10.11606/T.85.2016.tde-29072016-143254</a>. Disponível em: http://repositorio.ipen.br/handle/123456789/26818.
dc.identifier.doi10.11606/T.85.2016.tde-29072016-143254
dc.identifier.urihttp://repositorio.ipen.br/handle/123456789/26818
dc.localSão Paulopt_BR
dc.rightsopenAccesspt_BR
dc.subjectpolycrystalspt_BR
dc.subjectcrystal growth methodspt_BR
dc.subjectcrystal structurept_BR
dc.subjectplasma impuritiespt_BR
dc.subjectphase diagramspt_BR
dc.subjectphase transformationspt_BR
dc.subjectbridgman methodpt_BR
dc.subjectx-ray diffractionpt_BR
dc.subjectscanning electron microscopypt_BR
dc.subjectsecondary beamspt_BR
dc.subjectsecondary emissionpt_BR
dc.subjectelectron microprobe analysispt_BR
dc.subjectelectroluminescencept_BR
dc.subjectradiation detectorspt_BR
dc.subjectsemiconductor detectorspt_BR
dc.subjectthallium bromidespt_BR
dc.subjecthalogen compoundspt_BR
dc.titleEstudo da influência de impurezas e da qualidade das superfícies em cristais de brometo de tálio para aplicação como um detector de radiaçãopt_BR
dc.title.alternativeStudy on impurities influence and quality of surfaces of thallium bromide crystals for use as a radiation detectorpt_BR
dc.typeTesept_BR
dspace.entity.typePublication
ipen.autorROBINSON ALVES DOS SANTOS
ipen.codigoautor7515
ipen.contributor.ipenauthorROBINSON ALVES DOS SANTOS
ipen.date.recebimento16-11pt_BR
ipen.identifier.ipendoc21934pt_BR
ipen.identifier.localizacaoT539.1.074 / S237ept_BR
ipen.meioeletronicohttp://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/85/85131/tde-29072016-143254/pt-br.phppt_BR
ipen.type.genreTese
relation.isAuthorOfPublication45bb3200-8c29-4749-b307-e25349039f26
relation.isAuthorOfPublication.latestForDiscovery45bb3200-8c29-4749-b307-e25349039f26
sigepi.autor.atividadeSANTOS, ROBINSON A. DOS:7515:240:Spt_BR
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