JULIO BATISTA RODRIGUES DA SILVA

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  • Dissertação IPEN-doc 25966
    Fabricação e caracterização de detector de Barreira de superfície a partir de substrato de silício comercial
    2016 - SILVA, JULIO BATISTA RODRIGUES DA
    Neste trabalho foram desenvolvidos detectores de radiação Barreira de superfície de silício que fossem capazes de detectar a presença da radiação gama de baixa energia proveniente de sementes de iodo-125 utilizada em tratamentos de braquiterapia. A partir de substratos comerciais de silício foram desenvolvidos os detectores, de uma sequência que partiu de tratamentos químicos nas superfícies destes substratos com a intenção de minimizar os possíveis ruídos gerados, validação das amostras obtidas como diodos, assegurando características detectoras, e a efetiva utilização como detector para fontes radioativas de iodo-125 com energia em torno de 25 kev e amerício-251 com energia na ordem de 59 kev. Finalizou realizando a análise dos espectros de energia obtidos e assim foi possível observar a capacidade destes detectores para mensuração da energia proveniente destas sementes.
  • Artigo IPEN-doc 23998
    Influence of impurities on the radiation response of the TlBr semiconductor crystal
    2017 - SANTOS, ROBINSON A. dos; MESQUITA, CARLOS H. de; SILVA, JULIO B.R. da; FERRAZ, CAUE de M.; COSTA, FABIO E. da; MARTINS, JOAO F.T.; GENNARI, ROSELI F.; HAMADA, MARGARIDA M.
    Two commercially available TlBr salts were used as the rawmaterial for crystal growths to be used as radiation detectors. Previously, TlBr salts were purified once, twice, and three times by the repeated Bridgmanmethod. Thepurification efficiency was evaluated by inductively coupled plasma mass spectroscopy (ICP-MS), after each purification process. A compartmental model was proposed to fit the impurity concentration as a function of the repetition number of the Bridgman growths, as well as determine the segregation coefficients of impurities in the crystals. The crystalline structure, the stoichiometry, and the surface morphology of the crystals were evaluated, systematically, for the crystals grown with different purification numbers. To evaluate the crystal as a radiation semiconductor detector, measurements of its resistivity and gamma-ray spectroscopy were carried out, using 241Am and 133Ba sources. A significant improvement of the radiation response was observed in function of the crystal purity.
  • Artigo IPEN-doc 22529
    Multi-elemental segregation analysis of thallium bromide impurities purified by the repeated bridgman technique
    2012 - SANTOS, ROBINSON A. dos; SILVA, JULIO B.R. da; GENNARI, ROSELI F.; MARTINS, JOAO F.T.; FERRAZ, CAUE de M.; HAMADA, MARGARIDA M.; MESQUITA, CARLOS H. de
  • Artigo IPEN-doc 21006
  • Artigo IPEN-doc 19405
    Influence of impurities on the surface morphology of the TlBr crystal semiconductor
    2013 - SANTOS, ROBINSON A. dos; SILVA, JULIO B.R. da; MARTINS, JOAO F.T.; FERRAZ, CAUE de M.; COSTA, FABIO E. da; GENNARI, ROSELI F.; MESQUITA, CARLOS H. de; HAMADA, MARGARIDA M.