ANGELO TRONI BUSSOLIN
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Artigo IPEN-doc 16148 Influência de parâmetros de processo na microestrutura de filmes de TiO2 obtidos por MOCVD2010 - PILLIS, M.F.; BUSSOLIN, A.T.; CARDOSO, L.P.; SACILOTTI, M.Filmes finos de TiO2 foram crescidos em um reator MOCVD horizontal, sobre substratos de Si(100). O precursor utilizado foi isopropóxido de titânio, e nitrogênio foi utilizado tanto como gás de arraste do precursor quanto como gás vetor. Os ensaios foram conduzidos a 500°C. As variáveis de processo estudadas foram a pressão de crescimento (50 e 100 mbar), o fluxo de nitrogênio (0 a 0,8 slm), o tempo de crescimento (15 e 60 min) e a temperatura da fonte de isopropóxido (35 e 40°C). A caracterização das amostras foi feita por meio de técnicas de microscopia eletrônica de varredura com emissão de campo e difração de raios-X. Em todos os casos as estruturas de TiO2 apresentaram crescimento colunar e a velocidade de crescimento dos filmes variou entre 16 e 50 nm/min.