Thermal neutron induced upsets in 28nm SRAM
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Journal of Physics: Conference Series
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Resumo
In this work, we present the rst results of static tests in a 28nm SRAM under
thermal neutron irradiation from the IPEN/IEA-R1 research reactor. The SRAM used was the
con guration memory of a Xilinx Zynq-7000 FPGA and the ECC frame was used to detect
bit-
ips. It was obtained a SEU cross-section of 9:2(21) 1016 cm2=bit, corresponding to a
FIT/Mb of 12(5), in accordance with expected results. The most probable cause of SEU in this
device are 10B contamination on tungsten contacts.
Como referenciar
AGUIAR, V.A.P.; MEDINA, N.H.; ADDED, N.; MACCHIONE, E.L.A.; ALBERTON, S.G.; RODRIGUES, C.L.; SILVA, T.F.; ZAHN, G.S.; GENEZINI, F.A.; MORALLES, M.; BENEVENUTI, F.; GUAZZELLI, M.A. Thermal neutron induced upsets in 28nm SRAM. Journal of Physics: Conference Series, v. 1291, n. 1, p. 1-4, 2019. DOI: 10.1088/1742-6596/1291/1/012025. Disponível em: http://repositorio.ipen.br/handle/123456789/30536. Acesso em: 30 Dec 2025.
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