Estudo por microscopia eletronica de transmissao (MET) do recozimento de defeitos residuais em camadas de silicio recristalizadas
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1991
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13o. COLOQUIO DA SOCIEDADE BRASILEIRA DE MICROSCOPIA ELETRONICA
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SANTOS, J.T.; HASENACK, C.M.; MONTEIRO, W.A. Estudo por microscopia eletronica de transmissao (MET) do recozimento de defeitos residuais em camadas de silicio recristalizadas. In: 13o. COLOQUIO DA SOCIEDADE BRASILEIRA DE MICROSCOPIA ELETRONICA, 31 de agosto - 4 de setembro, 1991, Caxambu, MG. Disponível em: http://repositorio.ipen.br/handle/123456789/21668. Acesso em: 27 Mar 2026.
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