Influência de parâmetros de processo na microestrutura de filmes de TiO2 obtidos por MOCVD
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2010
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CONGRESSO BRASILEIRO DE CERAMICA, 54.
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Resumo
Filmes finos de TiO2 foram crescidos em um reator MOCVD horizontal, sobre
substratos de Si(100). O precursor utilizado foi isopropóxido de titânio, e nitrogênio
foi utilizado tanto como gás de arraste do precursor quanto como gás vetor. Os
ensaios foram conduzidos a 500°C. As variáveis de processo estudadas foram a
pressão de crescimento (50 e 100 mbar), o fluxo de nitrogênio (0 a 0,8 slm), o tempo
de crescimento (15 e 60 min) e a temperatura da fonte de isopropóxido (35 e 40°C).
A caracterização das amostras foi feita por meio de técnicas de microscopia
eletrônica de varredura com emissão de campo e difração de raios-X. Em todos os
casos as estruturas de TiO2 apresentaram crescimento colunar e a velocidade de
crescimento dos filmes variou entre 16 e 50 nm/min.
Como referenciar
PILLIS, M.F.; BUSSOLIN, A.T.; CARDOSO, L.P.; SACILOTTI, M. Influência de parâmetros de processo na microestrutura de filmes de TiO2 obtidos por MOCVD. In: CONGRESSO BRASILEIRO DE CERAMICA, 54., 30 de maio - 2 de junho, 2010, Foz do Iguacu, PR. Anais... Disponível em: http://repositorio.ipen.br/handle/123456789/17978. Acesso em: 30 Dec 2025.
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