Variação de parâmetros de processo na obtenção de refratários de SiC ligados por Si3N4
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2024
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CONGRESSO BRASILEIRO DE ENGENHARIA E CIÊNCIA DOS MATERIAIS
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SIMISGALLI, ROBERTA S.D.C.; MATOS, DIEGO S.; GENOVA, LUIS A. Variação de parâmetros de processo na obtenção de refratários de SiC ligados por Si3N4. In: CONGRESSO BRASILEIRO DE ENGENHARIA E CIÊNCIA DOS MATERIAIS, 24-28 de novembro, 2024, Fortaleza, CE. Resumo... Fortaleza, CE: IPEN-CNEN/SP, 2024. Disponível em: https://repositorio.ipen.br/handle/123456789/49224. Acesso em: 20 Mar 2026.
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