Variação de parâmetros de processo na obtenção de refratários de SiC ligados por Si3N4

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dc.contributor.authorSIMISGALLI, ROBERTA S.D.C.
dc.contributor.authorMATOS, DIEGO S.
dc.contributor.authorGENOVA, LUIS A.
dc.coverageNacional
dc.creator.eventoCONGRESSO BRASILEIRO DE ENGENHARIA E CIÊNCIA DOS MATERIAIS
dc.date.accessioned2026-01-29T17:11:57Z
dc.date.available2026-01-29T17:11:57Z
dc.date.evento24-28 de novembro, 2024
dc.identifier.citationSIMISGALLI, ROBERTA S.D.C.; MATOS, DIEGO S.; GENOVA, LUIS A. Variação de parâmetros de processo na obtenção de refratários de SiC ligados por Si3N4. In: CONGRESSO BRASILEIRO DE ENGENHARIA E CIÊNCIA DOS MATERIAIS, 24-28 de novembro, 2024, Fortaleza, CE. <b>Resumo...</b> Fortaleza, CE: IPEN-CNEN/SP, 2024. Disponível em: https://repositorio.ipen.br/handle/123456789/49224.
dc.identifier.orcidhttps://orcid.org/0000-0002-5172-5082
dc.identifier.urihttps://repositorio.ipen.br/handle/123456789/49224
dc.language.isopor
dc.localFortaleza, CE
dc.local.eventoFortaleza, CE
dc.publisherIPEN-CNEN/SP
dc.rightsopenAccess
dc.titleVariação de parâmetros de processo na obtenção de refratários de SiC ligados por Si3N4
dc.typeResumo de eventos científicos
dspace.entity.typePublication
ipen.autorDIEGO SANTIAGO MATOS
ipen.autorLUIS ANTONIO GENOVA
ipen.autorROBERTA SANCHEZ DIMITROFF CORONATO SIMISGALLI
ipen.codigoautor14589
ipen.codigoautor320
ipen.codigoautor15352
ipen.contributor.ipenauthorDIEGO SANTIAGO MATOS
ipen.contributor.ipenauthorLUIS ANTONIO GENOVA
ipen.contributor.ipenauthorROBERTA SANCHEZ DIMITROFF CORONATO SIMISGALLI
ipen.event.datapadronizada2024
ipen.identifier.ipendoc31311
ipen.notas.internasResumo
ipen.type.genreResumo
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