Morfologia de filmes finos nanoestruturados de ZnO produzidos pelo método SILAR

dc.contributor.authorGALEGO, EGUIBERTOpt_BR
dc.contributor.authorSERNA, MARILENE M.pt_BR
dc.contributor.authorRAMANATHAN, LALGUDI V.pt_BR
dc.contributor.authorFARIA JUNIOR, RUBENS N. dept_BR
dc.contributor.organizadorNOBRE, MARCOS A. de L.pt_BR
dc.coverageNacionalpt_BR
dc.date.accessioned2022-03-18T12:01:48Z
dc.date.available2022-03-18T12:01:48Z
dc.date.issued2021pt_BR
dc.description.abstractA utilização do ZnO no campo da nanotecnologia é ampla devido a características físicas únicas tais como, banda proibida (~3,37 eV), energia de ligação de éxciton de 60 MeV, atóxico e de baixo custo. A estrutura cristalina hexagonal permite obter uma ampla diversidade de morfologias e isto permite sua utilização em: lasers de UV, cristais piezoeléctricos, sensores químicos, sensores de gás, diodos emissores de luz, foto detectores e células solares. Uma das possíveis morfologia do filme fino de ZnO é um arranjo unidimensional submicrométrico de bastões, nanobastões e nanofios, o qual tem atraído muito interesse devido a alta área superficial e a alta proporção de aspecto, que são nanopartículas com um comprimento muitas vezes maior do que sua largura. Neste trabalho foi estudada a influência dos parâmetros do método de adsorção de camada iônica e reação sucessivas (SILAR) na obtenção de filmes de ZnO nanoestruturados sobre substrato de vidro recoberto com óxido de estanho dopado com flúor (SnO2:F). Na temperatura de 90°C ocorreu a formação de ZnO e o aumento de nanoestruturas formadas. A quantidade de ciclos e responsável pela densidade superficial, o crescimento acelerase após se atingir a densidade superficial critica. O tempo de permanência no banho de nucleação não tem influência significativa, já no banho de crescimento com o aumento do tempo ocorreu coalescimento das nanoestruturas. O uso do cloreto de zinco como precursor no banho de nucleação apresentou crescimento mais lento para concentrações molares baixas, o aumento da concentração molar resultou em filmes porosos. Os resultados obtidos neste estudo mostraram que alterações simples nas variáveis do processo SILAR para obtenção de ZnO permitiram desde a obtenção de nanoestruturas individuais a filmes compactos ou porosos.pt_BR
dc.format.extent212-227pt_BR
dc.identifier.capitulo16pt_BR
dc.identifier.citationGALEGO, EGUIBERTO; SERNA, MARILENE M.; RAMANATHAN, LALGUDI V.; FARIA JUNIOR, RUBENS N. de. Morfologia de filmes finos nanoestruturados de ZnO produzidos pelo método SILAR. In: NOBRE, MARCOS A. de L. (org.). <b>The Great World of Nanotechnology</b>. Curitiba, PR: Artemis, 2021. v. 2, cap. 16. p. 212-227. DOI: <a href="https://dx.doi.org/10.37572/EdArt_30062136116">10.37572/EdArt_30062136116</a>. Disponível em: http://repositorio.ipen.br/handle/123456789/32815.
dc.identifier.doi10.37572/EdArt_30062136116pt_BR
dc.identifier.orcidhttps://orcid.org/0000-0003-4822-8840
dc.identifier.orcidhttps://orcid.org/0000-0001-6053-3907
dc.identifier.urihttp://repositorio.ipen.br/handle/123456789/32815
dc.identifier.vol2pt_BR
dc.localCuritiba, PRpt_BR
dc.publisherArtemispt_BR
dc.rightsopenAccesspt_BR
dc.subjectzinc oxides
dc.subjectadsorption
dc.subjectlayers
dc.subjectnanostructures
dc.subjectthin films
dc.titleMorfologia de filmes finos nanoestruturados de ZnO produzidos pelo método SILARpt_BR
dc.title.livroThe Great World of Nanotechnologypt_BR
dc.typeCapítulo de livropt_BR
dspace.entity.typePublication
ipen.autorRUBENS NUNES DE FARIA JUNIOR
ipen.autorLALGUDI VENKATARAMAN RAMANATHAN
ipen.autorMARILENE MORELLI SERNA
ipen.autorEGUIBERTO GALEGO
ipen.codigoautor227
ipen.codigoautor95
ipen.codigoautor252
ipen.codigoautor640
ipen.contributor.ipenauthorRUBENS NUNES DE FARIA JUNIOR
ipen.contributor.ipenauthorLALGUDI VENKATARAMAN RAMANATHAN
ipen.contributor.ipenauthorMARILENE MORELLI SERNA
ipen.contributor.ipenauthorEGUIBERTO GALEGO
ipen.date.recebimento22-03
ipen.identifier.ipendoc28537pt_BR
ipen.type.genreCapítulo
relation.isAuthorOfPublication20cb7788-3957-4550-9e5c-cf7f5261eec4
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sigepi.autor.atividadeFARIA JUNIOR, RUBENS N. de:227:730:Npt_BR
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sigepi.autor.atividadeGALEGO, EGUIBERTO:640:720:Spt_BR

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